[实用新型]一种MOSFET晶圆漏电流并行测试装置

权利要求书

1.一种MOSFET晶圆漏电流并行测试装置，用于测试晶圆上MOSFET的漏电流值，其特征在于：包括测试模块（1）、MOSFET（2）、开关（3）、载物台（4）；

所述测试模块（1）以工作特性分为A、B、C三个端口，从每个端口引出两根连接线分别为采样端口和输出端口；

所述MOSFET（2）的栅极和测试模块（1）A端口的采样端口和输出端口连接，MOSFET（2）的源极与测试模块（1）C端口的采样端口和输出端口连接；

所有工位的测试模块（1）B端口串联与MOSFET（2）的公共漏极连接；

所有MOSFET（2）的漏极置于载物台（4）之上；

所述开关（3）分别连接A端口采样端口和B端口采样端口与C端口采样端口和B端口采样端口。

2.根据权利要求1所述的MOSFET晶圆漏电流并行测试装置，其特征在于：测量Idss时源极与栅极之间的开关（3）闭合，测量Igss时源极与漏极之间的开关（3）闭合。

3.根据权利要求2所述的MOSFET晶圆漏电流并行测试装置，其特征在于：在进行漏电流Idss测试时，栅极和源极通过限流电阻短接，每个工位的测试模块（1）的漏极通过限流电阻短接到载物台（4）。

4.根据权利要求2所述的MOSFET晶圆漏电流并行测试装置，其特征在于：在进行漏电流Igss测试时，源极电压通过一个限流电阻加载到载物台（4）再传递至漏极实现。