[实用新型]一种高速耐正负浪涌的模拟开关电路有效
| 申请号: | 202020401327.0 | 申请日: | 2020-03-26 |
| 公开(公告)号: | CN211908758U | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
| 发明(设计)人: | 付美俊;靳瑞英;朱丽丽 | 申请(专利权)人: | 帝奥微电子有限公司 |
| 主分类号: | H03K17/081 | 分类号: | H03K17/081 |
| 代理公司: | 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 | 代理人: | 赵芳梅 |
| 地址: | 226017 江苏省南通*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 高速 正负 浪涌 模拟 开关电路 | ||
1.一种高速耐正负浪涌的模拟开关电路,其特征在于,所述模拟开关电路用于由高压输入端接受电压信号,所述电压信号包括正电压信号及/或负电压信号,其中,正电压信号包括正浪涌信号,负电压信号包括负浪涌信号,所述模拟开关电路包括:
第一晶体管电路,所述第一晶体管电路与所述高压输入端电性连接,所述第一晶体管电路包括第一晶体管及第一闸极驱动电路,所述第一晶体管的漏极与所述高压输入端电性连接,所述第一晶体管的闸极与所述第一闸极驱动电路的一端电性连接,当所述第一晶体管的闸极于第一电压位准时,所述第一闸极驱动电路启动所述第一晶体管以第一级方式来降低所述正浪涌信号的电压位准峰值或所述负浪涌信号的电压位准峰值;
第二晶体管电路,包括第二晶体管及第二闸极驱动电路,所述第二晶体管的漏极与所述第一晶体管电路的源极电性连接,所述第二晶体管的闸极与所述第二闸极驱动电路的一端电性连接,当所述第二晶体管的闸极于第二电压位准时,所述第二闸极驱动电路启动所述第二晶体管以第二级方式来降低所述正浪涌信号的电压位准峰值或所述负浪涌信号的电压位准峰值;
第三晶体管电路,包括第三晶体管及第三闸极驱动电路,所述第三晶体管的漏极与所述第二晶体管电路的源极电性连接,所述第三晶体管的闸极与所述第三闸极驱动电路的一端电性连接,当所述第三晶体管的闸极于第三电压位准时,所述第三闸极驱动电路启动所述第三晶体管以第三极方式来降低所述正浪涌信号的电压位准峰值或所述负浪涌信号的电压位准峰值,接着将所述第三极方式来降低所述正浪涌信号的电压位准峰值或所述负浪涌信号的电压位准峰值到低阈值电压位准后传送至低压输出端。
2.根据权利要求1所述的模拟开关电路,其特征在于,所述第一电压位准的绝对值大于所述第二电压位准的绝对值,且所述第二电压位准的绝对值大于所述第三电压位准的绝对值。
3.根据权利要求1所述的模拟开关电路,其特征在于,所述第一晶体管电路还包括:
第一开关,一端与所述第一晶体管的源极电性连接,另一端与所述第一晶体管的闸极和所述第一闸极驱动电路的一端电性连接,当所述第一晶体管的闸极于所述第一电压位准时,所述第一开关呈现闭合以断开所述第一晶体管;
第一衬底选择电路,所述第一衬底选择电路的输入端与所述第一晶体管的源极和漏极电性连接,所述第一衬底选择电路的输出端与所述第一晶体管的衬底电性连接,所述第一衬底选择电路用于选择出衬底电压位准为当所述第一晶体管的源极和漏极电压于最小压差值时;
第一选高电路,一端与所述第一晶体管的漏极、所述高压输入端及所述第一衬底选择电路的输入端电性连接;
第一齐纳稳压二极管,一端与所述第一选高电路的另一端电性连接;
第一电阻,一端与所述第一齐纳稳压二极管的另一端电性连接;
第一二极管,一端与所述第一电阻的另一端电性连接;
第一选低电路,一端与所述第一二极管的另一端电性连接,另一端与所述第一衬底选择电路的输入端及所述第一晶体管的源极电性连接;
其中,所述第一齐纳稳压二极管、所述第一电阻及所述第一二极管用于通过所述第一选高电路及所述第一选低电路来控制所述第一晶体管的源极和漏极间的压差值。
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