[实用新型]一种上电极设备以及等离子体处理装置

权利要求书

1.一种上电极设备，其特征在于，所述上电极设备应用于等离子体处理装置中，所述上电极设备用于对反应气体进行加压，以将所述反应气体激发成等离子态并作用于待处理晶圆上；所述上电极设备包括：第一部分，所述第一部分为所述上电极设备的中心部分；其中，

所述第一部分包括面向所述待处理晶圆凸出的第一表面区域，所述第一表面区域在第一方向上的宽度大于第二方向上的宽度，所述第一方向和所述第二方向为沿所述上电极设备平面方向延伸的两彼此垂直的方向。

2.根据权利要求1所述的上电极设备，其特征在于，

所述第一表面区域具有中心和外周边，所述中心部分的厚度沿中心到外周边的方向减小。

3.根据权利要求1所述的上电极设备，其特征在于，所述上电极设备还包括：围绕所述第一部分的第二部分；其中，

所述第二部分包括面向所述待处理晶圆内凹的第二表面区域。

4.根据权利要求3所述的上电极设备，其特征在于，

所述第一表面区域的外周边与所述第二表面区域的内周边连接，从而沿所述第一表面区域的外周边，从凸出的所述第一表面区域过渡到内凹的所述第二表面区域。

5.根据权利要求1所述的上电极设备，其特征在于，

所述第一部分的中心为所述上电极设备的中心。

6.根据权利要求1所述的上电极设备，其特征在于，

所述第一表面区域沿所述第一方向对称；和/或，

所述第一表面区域沿所述第二方向对称。

7.根据权利要求1所述的上电极设备，其特征在于，

所述第一表面区域的外周边沿所述第一方向的顶部呈锥形。

8.根据权利要求1所述的上电极设备，其特征在于，

所述第一表面区域的外周边沿所述第二方向的顶部呈圆弧形。

9.根据权利要求3所述的上电极设备，其特征在于，

所述第一表面区域和/或所述第二表面区域包括多个喷孔，反应气体通过所述多个喷孔输入至所述等离子体处理装置的反应腔室内，并作用在所述待处理晶圆上。

10.根据权利要求1所述的上电极设备，其特征在于，

所述待处理晶圆为三维存储器的衬底，所述三维存储器上包括栅极线层狭缝的形成区域，所述栅极线层狭缝的延伸方向与所述第二方向相对应。

11.一种等离子体处理装置，其特征在于，所述装置包括：反应腔室、晶圆支撑件、下电极设备以及权利要求1至10任一项所述的上电极设备。