[实用新型]介质滤波器和无线电收发设备有效

专利信息
申请号: 202020381641.7 申请日: 2020-03-24
公开(公告)号: CN211265679U 公开(公告)日: 2020-08-14
发明(设计)人: 朱琦;周鑫童 申请(专利权)人: 江苏灿勤科技股份有限公司
主分类号: H01P1/20 分类号: H01P1/20
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 孙仿卫
地址: 215600 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 介质 滤波器 无线电 收发 设备
【说明书】:

本实用新型提供的介质滤波器,包括至少两个介质谐振器,该介质谐振器包括由陶瓷材料制成的介质谐振器本体和位于介质谐振器本体表面的调试孔,通过在其中一个介质谐振器本体的上表面开设向下倾斜延伸直至贯穿另一个介质谐振器本体的下表面的负耦合孔,使负耦合孔的上孔口全部位于其中一个介质谐振器本体的上表面,并使负耦合孔的下孔口全部位于另一个介质谐振器本体的下表面,使得负耦合孔连接这两个介质谐振器,能够通过负耦合孔实现这两个介质谐振器之间的电容耦合,省略了隔断环,结构更加简单,加工工序更少,无需精准控制孔深,性能更加稳定,结构强度更高;本实用新型还提供一种包括上述介质滤波器的无线电收发设备。

技术领域

本申请涉及通信技术领域,具体涉及介质滤波器和无线电收发设备。

背景技术

随着5G基站Massive MIMO架构的推广,介质滤波器凭借小体积、高性能、高可靠性、低成本、易于大批量生产等特性,取代了传统的大体积腔体滤波器成为了5G基站的首选滤波器方案。同时由于频谱资源的紧缺,使得滤波器的带外抑制要求越来越高。而介质滤波器由于其内部被介质材料填充,无法加工类似于传统腔体滤波器所采用的飞杆来实现负耦合,给滤波器设计特别是零点设计带来了不利影响。

当前,市场上出现了一些介质滤波器负耦合的设计加工方法,如国际专利申请WO2018148905 A1就公开了一种通过在介质块上设置负耦合孔和导电隔断层实现谐振腔之间电容耦合的介质滤波器,但该专利加工工艺复杂,需采用表面印刷或激光蚀刻等工艺额外设置导电隔断层,又如中国实用新型专利CN104604022B就公开了一种通过在由固态介电材料制成的本体上打盲孔的方式实现盲孔两侧谐振器之间电容耦合的介质滤波器,但该盲孔需要精准控制孔深,使得介质滤波器的性能不稳定,调试量大;此外,这种盲孔负耦合需要设计得很深,其底部厚度很小,减小了滤波器整体的结构强度。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的缺点,提供一种结构简单、性能稳定的介质滤波器,及包括该介质滤波器的无线电收发设备。

为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是,一种介质滤波器,包括至少两个介质谐振器,分别为第一介质谐振器和第二介质谐振器,所述介质谐振器包括由陶瓷材料制成的介质谐振器本体和位于所述介质谐振器本体表面的调试孔,所述调试孔为盲孔,所述调试孔用于调试其所在的介质谐振器的谐振频率,所述第一介质谐振器的调试孔位于所述第一介质谐振器本体的上表面,所述第二介质谐振器的调试孔位于所述第二介质谐振器本体的上表面或下表面;所有所述介质谐振器本体构成所述介质滤波器本体,所述介质滤波器还包括:

负耦合孔,所述负耦合孔为直孔,所述负耦合孔开设于所述第一介质谐振器的上表面并向下倾斜地延伸直至贯穿所述第二介质谐振器的下表面,使所述负耦合孔的上孔口全部位于所述第一介质谐振器本体的上表面,并使所述负耦合孔的下孔口全部位于所述第二介质谐振器本体的下表面,所述负耦合孔连接所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器,所述负耦合孔用于实现所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器之间的电容耦合;

覆盖所述介质滤波器本体表面、所述调试孔内壁表面和所述负耦合孔内壁表面的导电层。

优选地,所述负耦合孔上孔口的孔口部与所述第一介质谐振器的调试孔的孔口部相贯通连接,使所述负耦合孔的内腔与所述第一介质谐振器的调试孔的内腔相连通。

优选地,所述第二介质谐振器的调试孔位于所述第二介质谐振器本体的下表面,所述负耦合孔下孔口的孔口部与所述第二介质谐振器的调试孔的孔口部相贯通连接,使所述负耦合孔的内腔与所述第二介质谐振器的调试孔的内腔相连通。

优选地,所述负耦合孔的轴心线位于所述第一介质谐振器调试孔的轴心线和所述第二介质谐振器调试孔的轴心线形成的虚拟平面上。

优选地,所述负耦合孔的横截面为圆形、椭圆形或多边形中的任意一种。

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