[实用新型]低剖面高隔离度双极化基站天线有效
| 申请号: | 202020288436.6 | 申请日: | 2020-03-11 |
| 公开(公告)号: | CN212011245U | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
| 发明(设计)人: | 程知群;周伟伟;刘国华 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 |
| 主分类号: | H01Q1/24 | 分类号: | H01Q1/24;H01Q1/38;H01Q1/50 |
| 代理公司: | 杭州昱呈专利代理事务所(普通合伙) 33303 | 代理人: | 雷仕荣 |
| 地址: | 311400 浙江省杭州市富阳区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 剖面 隔离 极化 基站 天线 | ||
1.低剖面高隔离度双极化基站天线,其特征在于,该天线包括第一基板(1)、铜反射板(4)、设置在该第一基板(1)上表面的辐射贴片(5)以及设置在该第一基板(1)与铜反射板(4)之间的馈电部分;其中:
所述馈电部分至少包括第二基板(2)和第三基板(3),所述第二基板(2)和第三基板(3)以±45°相互垂直交叉并以平面垂直的方式与所述第一基板(1)和铜反射板(4)固定连接;所述第二基板(2)和第三基板(3)设置相同贴片层并分别形成第一环天线和第二环天线,所述第一环天线和第二环天线以±45°相互垂直;第一同轴馈线(8)和第二同轴线(13)分别与所述第一环天线和第二环天线电气连接;
所述第一环天线或第二环天线的贴片层图形包括设置在基板一面的第一贴片层图形以及基板另一面的第二贴片层图形,其中,第一贴片层图形由第一半矩形环状贴片(9)、1/4圆环状贴片(11)以及第一矩形贴片(6)组成,第一半矩形环状贴片(9)与1/4圆环状贴片(11)相连接,再与第一同轴馈线(8)或第二同轴线(13)的外导体相接,第一矩形贴片(6)与三者不连接;第二贴片层图形由第二半矩形环状贴片(10)和半圆环状贴片(12)以及第二矩形贴片(7)组成,第二半矩形环状贴片(10)和半圆环状贴片(12)相连接后,再与第一同轴馈线(8)或第二同轴线(13)的内导体相连接,第二矩形贴片(7)与三者不连接。
2.根据权利要求1所述的低剖面高隔离度双极化基站天线,其特征在于,所述第一环天线和第二环天线之间具有高度差。
3.根据权利要求1或2所述的低剖面高隔离度双极化基站天线,其特征在于,所述第二基板(2)与第三基板(3)都开有长槽(14、15),用于二者的正交组装。
4.根据权利要求1或2所述的低剖面高隔离度双极化基站天线,其特征在于,所述第二基板(2)和第三基板(3)四角都设置插脚(16),用于插入第一基板(1)和铜反射板(4)上对应的插孔内以固定连接。
5.根据权利要求1或2所述的低剖面高隔离度双极化基站天线,其特征在于,所述第一环天线与第二环天线的高度差为2.1mm。
6.根据权利要求1或2所述的低剖面高隔离度双极化基站天线,其特征在于,所述第一贴片层图形和第二贴片层图形具有重叠部分,用于产生耦合调谐电容。
7.根据权利要求1或2所述的低剖面高隔离度双极化基站天线,其特征在于,所述第一基板(1)的尺寸为45*45*0.8mm,第二基板(2)的尺寸为1*32.5*10mm,第三基板(3)的尺寸为32.5*1*12.1mm,辐射贴片(5)的尺寸为25*25mm,铜反射板的尺寸为100*100*1mm。
8.根据权利要求1或2所述的低剖面高隔离度双极化基站天线,其特征在于,第一半矩形环状贴片(9)与第二半矩形环状贴片(10)构成一个大的矩形环天线,1/4圆环状贴片(11)与半圆环状贴片(12)构成一个小的圆环天线,利用环天线本身具有感性,以此来中和低剖面天线中由于辐射贴片靠近地时产生的强耦合电容,形成一个谐振电路。
9.根据权利要求1或2所述的低剖面高隔离度双极化基站天线,其特征在于,第一半矩形环状贴片(9)与第二半矩形环状贴片(10)大小相同,总长为38.6mm,圆环状贴片的内径为0.75mm,外径为1.15mm。
10.根据权利要求1或2所述的低剖面高隔离度双极化基站天线,其特征在于,所述第一基板(1)、第二基板(2)和第三基板(3)采用Rogers RO4003基板。
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