[实用新型]一种微压传感器

权利要求书

1.一种微压传感器，其特征在于，所述微压传感器包括SOI衬底，在所述SOI衬底上设置有弹性元件和敏感元件，以实现对外加微压的测量；

所述SOI衬底包括由下到上依次设置的支撑衬底(1)、第一绝缘层(2)和器件层(3)；

所述器件层(3)的厚度为30～50μm；

所述弹性元件包括弹性硅膜，其位于器件层(3)上，与支撑衬底(1)下表面腐蚀窗口对应，

所述器件层厚度为弹性硅膜厚度，

所述弹性硅膜的厚度30～40μm；

所述弹性元件还包括设置在弹性硅膜上表面的四个梯形梁结构(L)，

所述梯形梁结构(L)包括第一梯形梁(L₁)、第二梯形梁(L₂)、第三梯形梁(L₃)和第四梯形梁(L₄)，所述四个梯形梁设置在弹性硅膜上表面的边缘中间位置，

所述第一梯形梁(L₁)、第二梯形梁(L₂)、第三梯形梁(L₃)和第四梯形梁(L₄)均为等腰梯形梁。

2.根据权利要求1所述的微压传感器，其特征在于，所述等腰梯形梁的长边与腰的夹角为α，所述α的范围为80°～89°，

所述四个等腰梯形梁的长边靠近传感器的中心位置。

3.根据权利要求1所述的微压传感器，其特征在于，所述第一梯形梁(L₁)和第三梯形梁(L₃)沿传感器芯片的011晶向对称设置，

所述第二梯形梁(L₂)和第四梯形梁(L₄)沿传感器芯片的晶向对称设置。

4.根据权利要求3所述的微压传感器，其特征在于，所述敏感元件包括第一压敏电阻(R₁)、第二压敏电阻(R₂)、第三压敏电阻(R₃)和第四压敏电阻(R₄)，分别设置在第一梯形梁(L₁)、第二梯形梁(L₂)、第三梯形梁(L₃)和第四梯形梁(L₄)上。

5.根据权利要求4所述的微压传感器，其特征在于，所述第一压敏电阻(R₁)和第三压敏电阻(R₃)沿传感器芯片的011晶向对称设置，

所述第二压敏电阻(R₂)和第四压敏电阻(R₄)沿传感器芯片的晶向对称设置。

6.根据权利要求4所述的微压传感器，其特征在于，所述第一压敏电阻(R₁)的一端与第四压敏电阻(R₄)的一端相连，其连接端与电源(V_DD)相连；

所述第二压敏电阻(R₂)的一端与第三压敏电阻(R₃)的一端相连，其连接端与地线(GND)相连。

7.根据权利要求1所述的微压传感器，其特征在于，在所述器件层(3)的上表面设置有第二绝缘层(4)，其为二氧化硅层，厚度为300～500nm。

8.根据权利要求7所述的微压传感器，其特征在于，在所述第二绝缘层(4)的上表面还制作有互连线(8)。