[实用新型]一种石墨舟有效
| 申请号: | 202020133446.2 | 申请日: | 2020-01-20 |
| 公开(公告)号: | CN211088231U | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
| 发明(设计)人: | 赵帅;刘道旺;夏中雪 | 申请(专利权)人: | 徐州谷阳新能源科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙) 32326 | 代理人: | 李玉平 |
| 地址: | 221300 江苏省徐州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 石墨 | ||
本实用新型公开了一种石墨舟,包括外舟片、内舟片,所述外舟片相背的表面上设有防护机构,所述防护机构包括布套条、纱布,所述布套条的表面开设有九个套孔,所述内舟片的表面上对称设有九个限位机构,所述限位机构包括固定外圆环、限位内圆环、限位耳,所述固定外圆环位于内舟片的表面,所述内舟片的表面开设有九个镂空框A,所述内舟片与镂空框A的连接处设有倒角;设计的倒角减轻了石墨舟对硅片及其上钝化层的摩擦损伤,大大提高开路电压及减少了产生的擦伤类不良产品,提高了产生合格率。
技术领域
本实用新型属于硅太阳能电池技术领域,具体涉及一种石墨舟。
背景技术
随着太阳能产业的蓬勃发展,各种理论新技术应用到光伏产业,其中SE(选择性发射极)技术随着激光设备技术的成熟,已广泛应用到太阳能电池行业,其优异的效率提升,使其在市场中所占有的份额越来越大。SE技术的使用,亦产生许多新类型的不良,SE电池技术全称选择性发射极电池,其特点是在非栅线区域轻参杂浅结,栅线区域重参杂深及,此技术大大提高了电池开路电压及短路电流,效率增益在0.3%以上,但其伴随产生的其他不良随之而来,对良率的杀伤较大,其中EL石墨舟擦伤是限制SE良率提升的难点,具统计,业内SE擦伤降级水平普遍在0.5%左右;
现有的镀膜硅片时,石墨舟与硅片摩擦,增加了产品的不合格率的问题,为此我们提出一种石墨舟。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种石墨舟,以解决上述背景技术中提出的镀膜硅片时,石墨舟与硅片摩擦,增加了产品的不合格率的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种石墨舟,包括外舟片、内舟片,所述外舟片相背的表面上设有防护机构,所述防护机构包括布套条、纱布,所述布套条的表面开设有九个套孔,所述内舟片的表面上对称设有九个限位机构,所述限位机构包括固定外圆环、限位内圆环、限位耳,所述固定外圆环位于内舟片的表面,所述内舟片的表面开设有九个镂空框A,所述内舟片与镂空框A的连接处设有倒角。
优选的,所述外舟片、内舟片的表面上均对称开设有九个通孔,所述限位内圆环的内圆直径比通孔的直径小1mm,所述限位内圆环的内圆圆心与通孔的圆心处于同一直线上。
优选的,所述固定外圆环的表面对称开设有“T”型结构的限位槽,所述限位耳为“T”型结构,所述限位耳远离限位内圆环的端部为弧形形状,所述限位耳与限位槽匹配。
优选的,所述布套条、纱布均为PET纤维面料制造。
优选的,所述倒角尺寸长度为0.5mm,宽度为0.5mm,所述内舟片的厚度为2.5mm。
优选的,若干所述内舟片通过陶瓷杆串联在外舟片内,且若干内舟片均处于竖直状态且间距相同。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:通过设计的倒角,减轻了石墨舟对硅片及其上钝化层的摩擦损伤,大大提高开路电压及减少了产生的擦伤类不良产品,提高了产生合格率;通过设计的防护机构,避免灰尘颗粒累积在内舟片开设镂空框A的内表面上,降低了擦伤类不良产品的产生;通过设计的限位机构,避免内舟片安装时意外被陶瓷杆碰撞而发生开裂,降低了内舟片开裂振动与硅片摩擦产生不良的概率。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型的内舟片主视结构示意图;
图3为本实用新型的镂空框放大结构示意图;
图4为本实用新型的倒角槽剖视结构示意图;
图5为本实用新型的内舟片截面侧视结构示意图;
图中:1、外舟片;2、内舟片;3、防护机构;4、布套条;5、纱布;6、套孔;7、限位机构;8、固定外圆环;9、限位内圆环;10、限位耳;11、倒角;A、镂空框。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





