[实用新型]一种功率模块及电子设备

说明书

本实用新型涉及电子电路技术领域，公开了一种功率模块及电子设备，该功率模块包括由多块板体拼接而成的具有立体结构的基体，其中，基体具有多个面，且至少两个面对应的板体上设有功能芯片，相互对应、且位于不同板体上的功能芯片之间通过引线键合；该电子设备设有上述功率模块。该功率模块及电子设备中基体均为多个板体拼接而成的立体结构，且至少基体两个面对应的板体上设有功能芯片，将功率模块中的功能芯片设置在了立体结构的基体的至少两个面上，相比于功能芯片的平面封装，在相同体积下，能够封装更大面积的功能芯片，功率模块的电流密度更大。

技术领域

本实用新型涉及电子电路技术领域，特别涉及一种功率模块及电子设备。

背景技术

智能功率模块，即IPM(Intelligent Power Module)，是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品。为了获得更高的电流密度并节约成本，功率模块的体积和厚度均在不断减小，但是受限于芯片的材料特性，在追求高电流密度的同时，不得不考虑器件的大小和散热问题，例如：在半导体行业被普遍认可的硅，其制成的器件电流密度对应的面积基本确定，已经很难再有所突破。

实用新型内容

本实用新型提供了一种功率模块及电子设备，用于提高功率模块的电流密度。

为达到上述目的，本实用新型提供以下技术方案：

一种功率模块，包括：由多块板体拼接而成的具有立体结构的基体，其中，所述基体具有多个面，且至少两个面对应的板体上设有功能芯片，相互对应、且位于不同板体上的功能芯片之间通过引线键合。

本实用新型提供的功率模块中，用于设置功能芯片的基体为多个板体拼接而成的立体结构，且至少基体两个面对应的板体上设有功能芯片，将功率模块中的功能芯片设置在了立体结构的基体的至少两个面上，相比于功能芯片的平面封装，在相同体积下，能够封装更大面积的功能芯片，功率模块的电流密度更大。

此外，本实用新型提供的功率模块中，随着功能芯片设置面积的增大，散热面积也相应增大，使得功率模块的散热效果更好。

可选地，所述基体为长方体状，所述多块板体包括顶板、底板以及四个侧板。

可选地，所述功率模块具有的功能芯片包括：

用于构成三相全桥逆变电路的三个第一IGBT芯片和三个第一FRD芯片；

用于驱动所述三相全桥逆变电路的三相全桥驱动HVIC芯片；

用于构成Boost-PFC电路的一个第二IGBT芯片、一个第二FRD芯片和一个IGBT栅极驱动芯片；

用于构成整流电路的四个二极管芯片。

可选地，所述三相全桥逆变电路的每一相均包括一个第一IGBT芯片和一个第一FRD芯片，所述基体的三个侧板上分别设有所述三相全桥逆变电路一相中的两个芯片。

可选地，所述基体包括连接于各所述板体围设而成的空间内且平行于所述基体的顶板的中间板，所述三相全桥驱动HVIC芯片设于所述中间板上。

可选地，所述第二IGBT芯片、所述第二FRD芯片和所述IGBT栅极驱动芯片均设于所述基体的第四个侧板上。

可选地，四个所述二极管芯片均设于所述基体的顶板上。

可选地，所述基体的底板上设有供所述功率模块的引脚穿出的孔，所述功率模块的引脚由所述底板上的孔穿出，并与所述底板上的孔密封连接。

可选地，所述基体内部为真空，或者所述基体内部设有充填体，所述充填体封堵所述基体内部的空隙。

可选地，各所述板体均为覆铜陶瓷基板，相邻的两块所述板体之间焊接连接。