[实用新型]一种提高功率器件耐压和开关时间性能的栅极构造有效
| 申请号： | 202020104670.9 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN211208452U | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 陈译;陈利;陈彬;陈剑 | 申请（专利权）人： | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361011 福建省厦门市中国（福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 功率 器件 耐压 开关时间 性能 栅极 构造 | ||
1.一种提高功率器件耐压和开关时间性能的栅极构造，其特征在于：包括背面金属层（20）、衬底层（10）和源极金属表面层（18）；所述衬底层（10）由下而上依次为漏极层（19）、漂移层（11）、基区（12）；所述衬底层（10）设有栅槽结构（10A），所述栅槽结构（10A）内设有栅极区（14）和屏蔽电极（15），二者以氧化绝缘层（16A）上下隔开，与栅槽结构（10A）的沟道壁间以栅极氧化层（16B）和栅极底部氧化层（16C）隔开，所述栅槽结构（10A）上方两侧基区（12）内设有源极区（13），所述栅槽结构（10A）正上方源极金属表面层（18）内设有电极分离绝缘层（17），所述栅槽结构（10A）的沟道壁角部（30）导入一绝缘层。
2.根据权利要求1所述的一种提高功率器件耐压和开关时间性能的栅极构造，其特征在于：所述沟道壁角部（30）导入的绝缘层由两层高介电体层组成，第1层高介电体层（33）与外侧氧化层（31）接触，第2层高介电体层（34）与内侧氧化层（32）相接触。
3.根据权利要求2所述的一种提高功率器件耐压和开关时间性能的栅极构造，其特征在于：所述沟道壁角部（30）导入的绝缘层的比介电率比SiO2材质的更高。
4.根据权利要求2 或3所述的一种提高功率器件耐压和开关时间性能的栅极构造，其特征在于：所述沟道壁角部（30）导入的绝缘层可以用溅射或CVD的工艺方法形成。
5.根据权利要求2 或3所述的一种提高功率器件耐压和开关时间性能的栅极构造，其特征在于：所述沟道壁角部（30）导入的绝缘层由材料ZrO2、Ta2O5和Al2O3组成。
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