[实用新型]半导体芯片的裂片装置有效
| 申请号: | 202020032206.3 | 申请日: | 2020-01-08 |
| 公开(公告)号: | CN211605104U | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
| 发明(设计)人: | 赵裕兴;陈晨 | 申请(专利权)人: | 苏州德龙激光股份有限公司;江阴德力激光设备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/78 |
| 代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 王玉国 |
| 地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 芯片 裂片 装置 | ||
1.半导体芯片的裂片装置,其特征在于:包含:
一下劈刀(8),用于支撑芯片底部;
一真空吸附载台(7),其上安装真空环(3),用于拉紧、固定及调整芯片;
一上劈刀组,有上劈左刀(2)和上劈右刀(11),用于裂片;
一影像系统(1),用于作为基准面调整上下劈刀垂直方向平行度以及观测芯片;
一X轴向直线平移装置,用于驱动影像系统沿X轴向左右移动;
一Y-θ轴运动装置,载台安装于其上,可驱动载台及其上的真空环沿Y轴向前后移动和θ轴旋转运动,用于芯片移动裂片;
一短行程平移装置,上劈左刀和上劈右刀安装于其上,调整上劈左刀与上劈右刀之间的张开间距;
一Z轴向运动装置,短行程平移装置安装于其上,调整上劈左刀和上劈右刀的上下劈裂位置;
所述下劈刀(8)位于真空吸附载台行程中间位置的下方,上劈左刀(2)和上劈右刀(11)位于真空吸附载台行程中间位置的正上方,上劈左刀(2)和上劈右刀(11)安装于短行程平移装置上,短行程平移装置安装于Z轴向运动装置上,影像系统(1)位于真空吸附载台行程中间位置正上方并高于上劈左刀(2)和上劈右刀(11)。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片的裂片装置,其特征在于:影像系统(1)与下劈刀(8)处于同一直线上。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片的裂片装置,其特征在于:下劈刀(8)的刀尖比真空环(3)高0.5mm~1mm。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片的裂片装置,其特征在于:下劈刀(8)为70度V形刀,材质是钨钢或白钢;或者为50度半面劈刀。
5.根据权利要求1所述的半导体芯片的裂片装置,其特征在于:上劈左刀(2)和上劈右刀(11)为45度半面劈刀,刀口材质是为超细钨钢。
6.根据权利要求1所述的半导体芯片的裂片装置,其特征在于:短行程平移装置包含安装座(4),安装座(4)的底面通过第一X轴直线运动单元(10)连接上劈刀头移动板(5),可驱动上劈刀头移动板(5)沿X轴向左右移动,上劈刀头移动板(5)的底面通过第二X轴直线运动单元(12)连接上劈右刀头安装板(6),上劈右刀头安装板(6)的底面安装上劈右刀(11),可驱动上劈右刀(11)沿X轴向左右移动,上劈刀头移动板(5)的底面左端部向下凸设一凸台,凸台上安装上劈左刀(2),上劈左刀(2)与上劈右刀(11)处于同一水平高度并相对,用于装载待裂产品的真空环(3)位于下部刀头与上劈左刀(2)和上劈右刀(11)之间。
7.根据权利要求1所述的半导体芯片的裂片装置,其特征在于:所述Y-θ轴运动装置包含Y轴运动单元和θ轴运动单元,所述Y轴运动单元包含Y轴底架、Y轴直线导轨、Y轴连接板和控制X轴连接板运动的Y轴运动机构,Y轴直线导轨和Y轴运动机构安装于Y轴底架上,Y轴连接板置于Y轴直线导轨上,Y轴运动机构与Y轴连接板驱动连接,从而控制Y轴连接板沿Y轴方向运动;所述θ轴运动单元包含旋转机构和载物架,载物架安装于旋转机构上,旋转机构安装于Y轴连接板上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州德龙激光股份有限公司;江阴德力激光设备有限公司,未经苏州德龙激光股份有限公司;江阴德力激光设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020032206.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种单板立柱
- 下一篇:用于不同产品灰度值识别的线扫光源装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





