[实用新型]具有2D材料中介层的外延基板有效
| 申请号： | 202020012738.0 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN210984756U | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 王晓靁;施能泰;宋高梅 | 申请（专利权）人： | 王晓靁 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人： | 李宁 |
| 地址： | 中国台湾台南市东区新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 材料 中介 外延 | ||
【权利要求书】：
1.具有2D材料中介层的外延基板，其特征在于：在多晶基板表面，借助范德华外延生长2D材料超薄中介层，2D材料超薄中介层的表层晶格常数及基底热膨胀系数与AlGaN或GaN高度匹配，2D材料超薄中介层为单层结构或者复合层结构，2D材料超薄中介层上借助范德华外延生长AlGaN或单晶GaN外延层。
2.如权利要求1所述的具有2D材料中介层的外延基板，其特征在于：所述2D材料超薄中介层的厚度范围在0.5nm到1000nm。
3.如权利要求1所述的具有2D材料中介层的外延基板，其特征在于：所述2D材料超薄中介层为适用于AlGaN或GaN外延的2D层。
4.如权利要求1所述的具有2D材料中介层的外延基板，其特征在于：所述2D材料超薄中介层为由顶层和底层形成的复合层结构，顶层为适用于AlGaN或GaN外延的2D层，底层为适合作为单晶基层的2D材料。
5.如权利要求1所述的具有2D材料中介层的外延基板，其特征在于：所述2D材料超薄中介层的单层结构或者复合层结构的顶层晶格常数a与AlN或GaN不匹配度不大于5％且适用于AlGaN或GaN外延。
6.如权利要求1所述的具有2D材料中介层的外延基板，其特征在于：所述基板的条件范围为：在平行外延接口方向上热膨胀系数与AlN或GaN差异不大于1.5×10-6℃-1。
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