[发明专利]一种用于NOR Flash可靠性测试的方法及系统

说明书

本发明提供一种用于NOR Flash可靠性测试的方法，包含：通过PC机向若干微控制单元广播数据包格式的测试指令；所述测试指令包含用于唯一识别所述微控制单元的标志号、用于唯一识别NOR Flash芯片的ID号、操作指令；所述操作指令用于指示对NOR Flash芯片进行的操作；所述微控制单元基于所述标志号丢弃所述测试指令，或基于所述ID号、操作指令向对应的NOR Flash芯片执行所述操作，并向PC机反馈操作结果。本发明还提供一种用于NOR Flash可靠性测试的系统。

技术领域

本发明涉及电子技术领域，特别涉及一种用于NOR Flash可靠性测试的方法及系统。

背景技术

存储器是现代计算系统的基本组成部分，一般可分为挥发型和非挥发型两种。非挥发型存储器(也叫非易失型存储器)是指系统掉电后仍可保持数据。NOR Flash是现有技术中普遍使用的采用充放电荷机制的非易失型存储器。

NOR Flash具有一个CS引脚，其作为NOR Flash的使能引脚，当CS引脚为低电平时，即表示该NOR Flash被选中，才能够向NOR Flash执行读、写、擦除操作。

NOR Flash在特定的数据背景、高温或辐射等特定的条件下，会出现数据读出错误问题，造成这一问题的主要原因是在读取NOR Flash存储阵列中的某一个存储单元时，同一条BL(位线)上未选中WL(字线)上的存储单元与选中WL的单元并联，若未选中单元的关断态的漏极泄漏电流过大，则会导致目标单元的数据读错。这一问题表现为与存储器的容量有关、与存储数据背景有关、与温度、电压或辐射等条件有关的特点。并且NOR Flash还存在过擦除的问题。除此之外，NOR Flash读写可靠性还与其承受的工作电压相关。

因此，需要对NOR Flash的可靠性进行检测。现有技术中，通过MCU(Microcontroller Unit微控制单元)通讯连接一个NOR Flash，并在MCU中预先写入测试程序，MCU根据测试程序向NOR Flash写入并读取数据。MCU根据读取的数据判断NOR Flash的读写是否正确。MCU还根据测试程序擦除NOR Flash中的数据，并通过读取NOR Flash的存储单元，判断擦除是否成功。

然而现有技术的NOR Flash可靠性检测方法，一次只能够测试一个NOR Flash芯片。每次需要更改测试参数(如数据的读写频率)时，只能够重新向MCU写入新的测试程序。因而，大大影响了NOR Flash芯片的测试效率。

发明内容

本发明的目的是提供一种用于NOR Flash可靠性测试的方法及系统，能够快速高效的检测在对NOR Flash芯片进行读写、擦除操作时的可靠性，测试结果可以直观显示，并且能够一次测试多个NOR Flash芯片，测试参数易于更改，大大的提高了NOR Flash可靠性测试的工作效率。

为了达到上述目的，本发明提供一种用于NOR Flash可靠性测试的方法，包含：

通过PC机向若干微控制单元广播数据包格式的测试指令；所述测试指令包含用于唯一识别所述微控制单元的标志号、用于唯一识别NOR Flash芯片的ID号、操作指令；所述操作指令用于指示对NOR Flash芯片执行的操作；

所述微控制单元基于所述标志号丢弃所述测试指令，或基于所述ID号、操作指令向对应的NOR Flash芯片执行对应操作，并向PC机反馈操作结果。

优选的，所述操作指令包含：读指令、写指令、擦除指令。

优选的，所述测试指令还包括：待写入NOR Flash芯片的测试数据、时钟频率、NORFlash的读取/写入/擦除地址区间。