[发明专利]改善晶圆面内关键尺寸均匀性的方法有效
| 申请号： | 202011592563.6 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112802797B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 黄然;傅士栋 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 晶圆面内 关键 尺寸 均匀 方法 | ||
1.一种改善晶圆面内关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，包括：
S1：提供一衬底晶圆；
S2：进行层间介质层形成工艺以形成一层层间介质层；
S3：判断层间介质层是否符合要求，若否则进入步骤S4，若是则进入步骤S5；
S4：层间介质层厚度优化工艺；
S5：进行光刻BSE补偿工艺；
S6：接触孔刻蚀工艺形成接触孔；
S7：判断边缘接触孔CD是否符合要求，若否则进入步骤S8，若是则进入步骤S9；
S8：在晶圆半径d1至边缘区域内进行接触孔刻蚀优化工艺以增大该区域内的图形的关键尺寸；
S9：判断晶圆面内接触孔CD是否符合要求，若否则进入步骤S10，若是则进入步骤S11；
S10：在晶圆半径d1至d2区域内进行第一光刻BSE补偿工艺以减小该区域内的图形的关键尺寸，并在晶圆半径d2至边缘区域内进行第二光刻BSE补偿工艺以增大该区域内的图形的关键尺寸；以及
S11：工艺窗口验证上线。
2.根据权利要求1所述的改善晶圆面内关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，S3为判断晶圆面内层间介质层的厚度差是否小于100埃米。
3.根据权利要求1所述的改善晶圆面内关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，S4中通过调整层间介质层的平坦化工艺的研磨头的各区域的压力来优化层间介质层。
4.根据权利要求1所述的改善晶圆面内关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，d1＝120mm。
5.根据权利要求1所述的改善晶圆面内关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，d2＝145mm。
6.根据权利要求1所述的改善晶圆面内关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，晶圆面内CD range改善至1.5nm以内。
7.根据权利要求1所述的改善晶圆面内关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，产品良率安全窗口扩大50％。
8.根据权利要求1所述的改善晶圆面内关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，晶圆边缘良率提升1.0％。
9.根据权利要求1所述的改善晶圆面内关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，所述改善晶圆面内关键尺寸均匀性的方法应用于28纳米及以下工艺节点。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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