[发明专利]异质结太阳能电池处理工艺在审
| 申请号: | 202011590698.9 | 申请日: | 2020-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN112670377A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
| 发明(设计)人: | 黄志强;戴虹;王祥;胡超;陆勇;费红材 | 申请(专利权)人: | 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20 |
| 代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
| 地址: | 201620 上海市松*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 异质结 太阳能电池 处理 工艺 | ||
本发明提供了一种异质结太阳能电池处理工艺,包括:通过翻转驱动装置驱动管式沉积腔体内的载具进行翻转运动,通过沉积控制装置对基板进行本征沉积处理,以及通过清洗控制装置对进入管式清洗腔体的载具进行气相清洗处理。本发明通过所述翻转运动使得所述载具无需多次进出所述管式沉积腔体内部就能够实现双面镀减反射膜,结合通过所述清洗控制装置对所述载具进行所述气相清洗处理,无需拆装所述载具,从而提高了生产效率;通过所述沉积控制装置对所述管式沉积腔体内装载有基板的载具先进行本征沉积处理有利于减少接口缺陷。
技术领域
本发明涉及晶硅太阳能电池制造技术领域,尤其涉及异质结太阳能电池处理工艺。
背景技术
异质结(Heterojunction Technology,HJT)电池综合了晶硅电池和薄膜电池的优势,具有发电量高和度电成本低的优势,是高转换效率硅基太阳能电池的热点方向之一。其中,性能优异的非晶硅薄膜对HJT电池的转换效率起到决定性作用。
HJT电池作为双面电池,其正背面都需要镀覆非晶硅薄膜,现有技术中处理需要双面镀硅片的过程通常是先将待处理的硅片进行装片,送入工艺腔中对其中一面进行沉积反应后降温出腔,再对待处理硅片进行翻面和重新装片,然后送入工艺腔中对另外一面进行沉积反应。上述工艺流程中,对硅片的翻面和重新装片以及对工艺腔内进行升降温处理使得工艺流程繁琐,不利于提高生产效率,同时反复的装片容易影响产品的良率,不利于光电转化效率的提高。
另外,现有技术中通常将能够放置几十甚至上百硅片的石墨舟送入工艺腔中进行沉积反应。由于石墨舟绝大部分表面也暴露在反应环境中,沉积反应不仅在硅片表面进行,也在石墨舟的暴露表面进行,石墨舟表面的沉积层容易对硅片表面造成污染。因此,需要定期对石墨舟进行维护。
现有技术中通常采用化学法对PECVD工艺的相关器件进行清洗维护。例如公开号为CN105742159A的中国专利申请公开了通过混酸和纯水清除光伏相关器件,例如石墨舟和石英管表面污染的方法。然而这种清洗方法属于离线清洗,需要将石英管或石墨舟浸泡于酸液或水中,涉及到远程运输、石英管的拆装过程和繁杂的清洗工艺,不利于生产效率的提高。
因此,有必要开发一种新型的异质结太阳能电池处理工艺以解决现有技术存在的上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种异质结太阳能电池处理工艺,以对载具进行在线清洗,并有利于提高生产效率和减少接口缺陷。
为实现上述目的,本发明所述异质结太阳能电池处理工艺包括:提供传输装置、设置有沉积控制装置和翻转驱动装置的管式沉积腔体,以及设置有清洗控制装置的管式清洗腔体;通过所述翻转驱动装置驱动所述载具进行翻转运动以使所述基板的两个相对的待镀表面的任意一个处于待镀状态;通过所述沉积控制装置对所述管式沉积腔体内的基板进行本征沉积处理以形成镀膜基板;通过所述传输装置将装载有所述镀膜基板的载具运出所述管式沉积腔体后卸载所述镀膜基板,以得到待清洗载具;通过所述传输装置将所述待清洗载具输送至所述管式清洗腔体后,通过所述清洗控制装置对所述待清洗载具进行气相清洗处理。
本发明的异质结太阳能电池处理工艺的有益效果在于:通过所述翻转驱动装置驱动所述载具进行翻转运动以使所述基板的两个相对的待镀表面的任意一个处于待镀状态,使得所述载具无需多次进出所述管式沉积腔体内部就能够使两个所述待镀表面中的任意一个或两个处于待镀状态,简化了工艺流程,提高了生产效率;通过所述清洗控制装置对进入所述管式清洗设备的载具进行气相清洗处理,无需拆装所述载具,从而进一步提高了生产效率;通过所述沉积控制装置对所述管式沉积腔体内的基板先进行本征沉积处理,有利于减少接口缺陷。
优选的,所述本征沉积处理完毕后对所述基板进行掺杂沉积处理,所述掺杂沉积处理与所述本征沉积处理在同一管式沉积腔体或不同管式沉积腔体进行。
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