[发明专利]一种N型高效太阳能电池及制备方法有效
| 申请号: | 202011573231.3 | 申请日: | 2020-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN112289895B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
| 发明(设计)人: | 任常瑞;张佳舟;绪欣;符黎明 | 申请(专利权)人: | 常州时创能源股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/074;H01L31/0288 |
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| 地址: | 213300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 高效 太阳能电池 制备 方法 | ||
1.一种N型高效太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述N型高效太阳能电池为使用N型硅片制成的N型高效异质结太阳能电池;所述制备方法包括如下步骤:
(201)取少子寿命相同或接近的N型硅片,先NaOH清洗,再HF和HCL混合清洗,烘干;
(202)将硅片送入管式扩散炉,管式扩散炉内通有携带液态源的氮气和氧气,液态源为三溴化硼,通过高温扩散的方式在硅片正面和背面沉积一层吸杂源;
(203)将沉积有吸杂源的硅片送入链式退火炉进行吸杂处理,链式退火炉设置有5个温区,各温区的温度分别设为530℃、670℃、770℃、740℃、500℃,通过链式退火炉热处理20min,完成吸杂,在硅片表面形成一层吸杂层;
(204)将吸杂后的硅片采用质量百分比浓度为5%的NaOH溶液进行常规制绒,制绒过程去除吸杂层;
(205)硅片正面和背面沉积本征非晶硅层;
(206)在本征非晶硅层的正面和背面沉积掺杂非晶硅;
(207)硅片正面和背面沉积透明导电薄膜;
(208)丝网印刷金属电极制得N型高效异质结太阳能电池片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





