[发明专利]一种双面受光的太阳能电池及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202011543209.4 申请日: 2020-12-21
公开(公告)号: CN112670419A 公开(公告)日: 2021-04-16
发明(设计)人: 谭海仁;张美;王玉瑞 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: H01L51/44 分类号: H01L51/44;H01L51/42;H01L27/30;H01L51/48
代理公司: 广州市律帆知识产权代理事务所(普通合伙) 44614 代理人: 王园园
地址: 210000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 双面 太阳能电池 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种双面受光的太阳能电池,其特征在于,从受光正面至受光背面依次包括透明导电衬底、第一传输层、宽带隙钙钛矿层、第二传输层、隧穿复合层、第三传输层、窄带隙钙钛矿层、第四传输层、缓冲层、透明导电层和背面栅线电极。

2.根据权利要求1所述的一种双面受光的太阳能电池,其特征在于,所述透明导电衬底为氧化铟锡衬底、氧化铟钨衬底、掺氟氧化锡衬底、氧化铟锌衬底、掺铝氧化锌衬底中的任一种。

3.根据权利要求1所述的一种双面受光的太阳能电池,其特征在于,所述第一传输层为空穴传输层,所述第二传输层为电子传输层,所述第三传输层为空穴传输层,所述第四传输层为电子传输层;

或者所述第一传输层为电子传输层,所述第二传输层为空穴传输层,所述第三传输层为电子传输层,所述第四传输层为空穴传输层;

其中,空穴传输层包含p型半导体材料;电子传输层包含n型半导体材料。

4.根据权利要求1所述的一种双面受光的太阳能电池,其特征在于,所述隧穿复合层包含金属层和致密层;

其中,所述金属层包含金、钯、银、钛、铬、镍、铝、铜中的至少一种;所述致密层包含n型半导体材料或p型半导体材料。

5.根据权利要求3或4所述的一种双面受光的太阳能电池,其特征在于,所述p型半导体材料为氧化镍、氧化钼、氧化亚铜、碘化铜、酞菁铜、硫氰酸亚铜、氧化还原石墨烯、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、聚3,4-乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚乙烯基咔唑中的至少一种。

6.根据权利要求3或4所述的一种双面受光的太阳能电池,其特征在于,所述n型半导体材料为氧化钛、氧化锡、氧化锌、富勒烯、石墨烯、富勒烯衍生物、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的一种双面受光的太阳能电池,其特征在于,所述缓冲层包含氧化钼、氧化钒、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲、氧化锡、氧化钛、氧化钨中的任意一种;

所述透明导电层包含银纳米线、金属薄层、氧化铟锡薄膜、掺铝氧化锌薄膜、掺镓氧化锌薄膜、掺氟氧化锡薄膜、氧化铟钨薄膜和石墨烯薄膜中的至少一种;

所述背面栅线电极包含金、钯、银、钛、铬、镍、铝、铜中的至少一种。

8.一种如权利要求1~7中任一项所述双面受光的太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

取一透明导电衬底,并在透明导电衬底上制备一层第一传输层;

在第一传输层上沉积一层宽带隙钙钛矿,得到宽带隙钙钛矿层;

在宽带隙钙钛矿层上制备一层第二传输层;

在第二传输层上制备一层隧穿复合层;

在隧穿复合层上制备一层第三传输层;

在第三传输层上沉积一层窄带隙钙钛矿,得到窄带隙钙钛矿层;

在窄带隙钙钛矿层上制备一层第四传输层;

在第四传输层上制备一层缓冲层;

在缓冲层上制备一层透明导电层;

在透明导电层上设置背部栅线电极,得到所述太阳能电池。

9.一种如权利要求8所述制备方法制得的太阳能电池。

10.一种如权利要求1~7、9中任一项所述的太阳能电池在太阳能发电中的应用。

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