[发明专利]一种双面受光的太阳能电池及其制备方法和应用在审
| 申请号: | 202011543209.4 | 申请日: | 2020-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN112670419A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
| 发明(设计)人: | 谭海仁;张美;王玉瑞 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
| 主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L51/42;H01L27/30;H01L51/48 |
| 代理公司: | 广州市律帆知识产权代理事务所(普通合伙) 44614 | 代理人: | 王园园 |
| 地址: | 210000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 双面 太阳能电池 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种双面受光的太阳能电池,其特征在于,从受光正面至受光背面依次包括透明导电衬底、第一传输层、宽带隙钙钛矿层、第二传输层、隧穿复合层、第三传输层、窄带隙钙钛矿层、第四传输层、缓冲层、透明导电层和背面栅线电极。
2.根据权利要求1所述的一种双面受光的太阳能电池,其特征在于,所述透明导电衬底为氧化铟锡衬底、氧化铟钨衬底、掺氟氧化锡衬底、氧化铟锌衬底、掺铝氧化锌衬底中的任一种。
3.根据权利要求1所述的一种双面受光的太阳能电池,其特征在于,所述第一传输层为空穴传输层,所述第二传输层为电子传输层,所述第三传输层为空穴传输层,所述第四传输层为电子传输层;
或者所述第一传输层为电子传输层,所述第二传输层为空穴传输层,所述第三传输层为电子传输层,所述第四传输层为空穴传输层;
其中,空穴传输层包含p型半导体材料;电子传输层包含n型半导体材料。
4.根据权利要求1所述的一种双面受光的太阳能电池,其特征在于,所述隧穿复合层包含金属层和致密层;
其中,所述金属层包含金、钯、银、钛、铬、镍、铝、铜中的至少一种;所述致密层包含n型半导体材料或p型半导体材料。
5.根据权利要求3或4所述的一种双面受光的太阳能电池,其特征在于,所述p型半导体材料为氧化镍、氧化钼、氧化亚铜、碘化铜、酞菁铜、硫氰酸亚铜、氧化还原石墨烯、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、聚3,4-乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚乙烯基咔唑中的至少一种。
6.根据权利要求3或4所述的一种双面受光的太阳能电池,其特征在于,所述n型半导体材料为氧化钛、氧化锡、氧化锌、富勒烯、石墨烯、富勒烯衍生物、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的一种双面受光的太阳能电池,其特征在于,所述缓冲层包含氧化钼、氧化钒、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲、氧化锡、氧化钛、氧化钨中的任意一种;
所述透明导电层包含银纳米线、金属薄层、氧化铟锡薄膜、掺铝氧化锌薄膜、掺镓氧化锌薄膜、掺氟氧化锡薄膜、氧化铟钨薄膜和石墨烯薄膜中的至少一种;
所述背面栅线电极包含金、钯、银、钛、铬、镍、铝、铜中的至少一种。
8.一种如权利要求1~7中任一项所述双面受光的太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
取一透明导电衬底,并在透明导电衬底上制备一层第一传输层;
在第一传输层上沉积一层宽带隙钙钛矿,得到宽带隙钙钛矿层;
在宽带隙钙钛矿层上制备一层第二传输层;
在第二传输层上制备一层隧穿复合层;
在隧穿复合层上制备一层第三传输层;
在第三传输层上沉积一层窄带隙钙钛矿,得到窄带隙钙钛矿层;
在窄带隙钙钛矿层上制备一层第四传输层;
在第四传输层上制备一层缓冲层;
在缓冲层上制备一层透明导电层;
在透明导电层上设置背部栅线电极,得到所述太阳能电池。
9.一种如权利要求8所述制备方法制得的太阳能电池。
10.一种如权利要求1~7、9中任一项所述的太阳能电池在太阳能发电中的应用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





