[发明专利]一种带失效保护的宽共模输入范围接收电路及方法

权利要求书

1.一种带失效保护的宽共模输入范围接收电路，其特征在于：所述接收电路包括上下拉网络、输入级、幅度调整单元和占空比调整单元，所述上下拉网络依次通过输入级、幅度调整单元与占空比调整单元连接，其中上下拉网络产生输入偏移电压，输入级进行输入信号接收，幅度调整单元完成信号幅度调整，占空比调整单元完成输入信号占空比校正，所述输入级包括PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M12、PMOS管M13、NMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M8、NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电容C1、电容C2和差分转单端运放AMP,所述PMOS管M1的栅极接上下拉网络的输入输出VIN、源极接PMOS管M4的漏级并与电阻R1、电容C1一端共接；所述PMOS管M2的栅极和PMOS管M3的栅极共接上下拉网络的输入输出VIP，所述PMOS管M2的源极和PMOS管M3的源极共接PMOS管M5的漏级并与电阻R1、电容C1另一端共接；所述PMOS管M4的栅极和PMOS管M5的栅极共接基准电压Vbp，所述PMOS管M4的源极和PMOS管M5的源极共接电源VDD；所述NMOS管M10的栅极接差分转单端运放AMP的输出Vfb、源极接PMOS管M1的漏极并与电阻R2一端共接，电阻R2另一端接地；所述NMOS管M11的栅极接差分转单端运放AMP的输出Vfb，源极接PMOS管M2和PMOS管M3的漏极并与电阻R3一端共接，电阻R3另一端接地；所述NMOS管M6的栅极接上下拉网络的输入输出VIN、源极接NMOS管M8的漏级并与电阻R4、电容C2一端共接；所述NMOS管M7的栅极接上下拉网络的输入输出VIP、源极接NMOS管M9的漏级并与电阻R4、电容C2另一端共接；所述NMOS管M8的栅极和NMOS管M9的栅极共接基准电压Vbn，所述NMOS管M8的源极和NMOS管M9的源极共接地；所述PMOS管M12的栅极接基准电压Vbp，源极接NMOS管M6的漏极并与电阻R5一端共接，电阻R5另一端接电源VDD；所述PMOS管M13的栅极接基准电压Vbp，源极接NMOS管M7的漏极并与电阻R6一端共接，电阻R6另一端接电源VDD；所述差分转单端运放AMP的P正向输入端接电阻R7、电阻R8一端，反向输入端接电压基准VREF，输出接NMOS管M10的栅极和NMOS管M11的栅级，电阻R7另一端与NMOS管M10的漏极和PMOS管M12的漏极共接，成输入级正向输出端VOP，电阻R8另一端与NMOS管M11的漏极和PMOS管M13的漏极共接，成输入级反向输出端VON，所述正向输出端VOP和反向输出端VON接幅度调整单元。

2.根据权利要求1所述的带失效保护的宽共模输入范围接收电路，其特征在于：所述上下拉网络包括电阻RUP、电阻RDP、电阻RUN和电阻RDN，所述电阻RUP一端接电源VDD，另一端与电阻RDP共接至输入输出VIP，所述电阻RDP另一端接地，所述电阻RUN一端接电源VDD，另一端与电阻RDN共接至输入输出VIN，所述电阻RDN另一端接地，所述输入输出VIP和输入输出VIN接输入级。

3.根据权利要求2所述的带失效保护的宽共模输入范围接收电路，其特征在于：所述幅度调整单元包括连续时域线性均衡器和电流模驱动器，所述连续时域线性均衡器与电流模驱动器连接，所述正向输出端VOP和反向输出端VON接连续时域线性均衡器，所述电流模驱动器接占空比调整单元。

4.根据权利要求3所述的带失效保护的宽共模输入范围接收电路，其特征在于：所述占空比调整单元采用占空比校正电路，所述占空比校正电路接电流模驱动器。

5.一种实现权利要求1所述的带失效保护的宽共模输入范围接收电路的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：

1)上下拉网络产生输入偏移电压；

2)输入级进行输入信号接收；

3)幅度调整单元完成信号幅度调整；

4)占空比调整单元完成输入信号占空比校正。