[发明专利]一种烧结钕铁硼晶界扩散工装及晶界扩散的方法

权利要求书

1.一种烧结钕铁硼晶界扩散工装，其特征在于，包括：

料盒框架(1)；

卡箍盲板(2)，盖合在所述料盒框架(1)上；

其中，所述料盒框架(1)上设有凸块(102)，所述卡箍盲板(2)上设有与凸块(102)相匹配的凹槽(202)；

三瓣型卡箍(3)，用于固定所述料盒框架(1)、卡箍盲板(2)；

承物台(101)，固定连接在所述料盒框架(1)的内壁上；

托盘件(4)，放置在所述承物台(101)上；

料盒件(5)，设置在所述托盘件(4)上，用于储放磁片。

2.一种烧结钕铁硼晶界扩散的方法，包括权利要求1所述的一种烧结钕铁硼晶界扩散工装，其特征在于，主要包括以下步骤：

A、对R-T-B稀土永磁体磁片表面进行处理，处理步骤主要包括除油、酸洗、清洗、烘干；

B、在磁片表面喷涂氧化重稀土涂覆层；

C、将磁片间隔摆入所述料盒件(5)中，磁片之间使用钼网间隔，磁片厚度方向平行于水平方向，并将装有磁片的料盒件(5)放置于所述托盘件(4)上；

D、将步骤C中所述托盘件(4)放置于所述料盒框架(1)的轴向方向间隔设置的承物台(101)上，将钙还原剂填充于承物台(101)间隙，并安装所述卡箍盲板(2)，拧紧所述三瓣式卡箍(3)；

E、将步骤D中的所述料盒框架(1)放入真空热处理炉中进行热处理得到R-T-B稀土永磁体；

F、扩散热处理后，取出所述料盒框架(1)内磁片，使用喷砂机处理所述料盒框架(1)、托盘件(4)和料盒件(5)。

3.根据权利要求2所述的烧结钕铁硼晶界扩散的方法，其特征在于，步骤A中的所述R-T-B稀土永磁体为R1-Fe-M-B烧结磁体，其中R1选自La、Ce、Pr、Nd、Dy、Tb、Gd、Ho中的一种或者几种，其总量为26wt％～33wt％；M选自Ti、W、Mn、Co、Mg、Mo、Ni、Ga、Cu、Al、Zr、Nb等中的一种或者几种，其总量为0～5wt％，B总量为0.5wt％～2wt％；其余为Fe。

4.根据权利要求2所述的烧结钕铁硼晶界扩散的方法，其特征在于，步骤B中主要包括以下步骤：将氧化镝、氧化铽、氧化钬粉末中的一种或几种使用纳米研磨机研磨至体积平均粒径小于500nm，并将研磨后的氧化重稀土粉末与无水酒精混合形成悬浊液，将悬浊液采用喷涂或刷涂的方式涂覆于磁片表面，置于隧道窑烘干，形成氧化重稀土涂覆层。

5.根据权利要求4所述的烧结钕铁硼晶界扩散的方法，其特征在于，所述R-T-B稀土永磁体的形状为圆柱、长方体、圆环中的一种。

6.根据权利要求2所述的烧结钕铁硼晶界扩散的方法，其特征在于，在步骤B后、步骤C前对磁片做耐高温附着处理。

7.根据权利要求6所述的烧结钕铁硼晶界扩散的方法，其特征在于，将带氧化重稀土涂覆层的磁片表面进行耐高温氧化铝、氧化锆、氮化硅附着处理。

8.根据权利要求2所述的烧结钕铁硼晶界扩散的方法，其特征在于，步骤E中的热处理包括真空热处理和微氧分压热处理。

9.根据权利要求8所述的烧结钕铁硼晶界扩散的方法，其特征在于，热处理分为两级，一级热处理温度范围为800℃-980℃，热处理时间为2h-72h，二级热处理温度范围为450℃-600℃，热处理时间为2h-8h。

10.根据权利要求9所述的烧结钕铁硼晶界扩散的方法，其特征在于，一级热处理采用微氧分压热处理，微氧分压热处理包含真空分压处理和Ar气氛分压处理，氧含量范围为0-10000ppm。