[发明专利]显示设备在审
| 申请号: | 202011536096.5 | 申请日: | 2020-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN113161386A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
| 发明(设计)人: | 孙世完;高武恂;朴智炼;安珍星;禹珉宇;李圣俊;李旺宇;李廷洙;李知嬗;池得明 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 宋颖娉;康泉 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 设备 | ||
一种显示设备,包括:包括显示区域和外围区域的基板、半导体元件、像素结构以及多个虚设图案。半导体元件被设置在基板上显示区域中,并且像素结构被设置在半导体元件上。具有堆叠结构的虚设图案被设置在基板上外围区域中,并且包含与构成半导体元件的材料相同的材料。虚设图案以栅格形状布置在不同层中,并且虚设图案中的每个包括中央部分以及围绕中央部分的边缘部分。虚设图案中的在不同层中彼此邻近的虚设图案的边缘部分在从基板到像素结构的方向上彼此重叠。
技术领域
本公开总的来说涉及一种显示设备,并且更具体地,涉及一种包括多个虚设图案的显示设备。
背景技术
由于其轻且薄的特性,平板显示设备被用作用于替代阴极射线管显示设备的显示设备。作为这种平板显示设备的代表性示例,存在液晶显示设备和有机发光二极管显示设备。
显示设备可以包括显示区域以及围绕显示区域的外围区域。半导体元件和像素结构可以被设置在显示区域中,并且布线和焊盘电极等可以被设置在外围区域中。当在制造显示设备的工艺中对包括在半导体元件中的有源层和栅电极(例如,图案)等进行蚀刻时,显示区域的中央部分(例如,第一区域)中以及与外围区域邻近的显示区域(例如,第二区域)中图案的尺寸(例如,图案的宽度)可以彼此不同。例如,由于相对多的半导体元件被设置在第一区域中,因此在第一区域中可以存在相对多的蚀刻目标图案,并且由于第二区域与外围区域邻近,因此在第二区域中可以存在相对少的蚀刻目标图案。换句话说,第一区域和第二区域中图案的密度可以彼此不同,并且用于对图案进行蚀刻的蚀刻剂的浓度在第二区域中可以相对低于在第一区域中。在这种情况下,形成在第二区域中的图案的尺寸可能相对大,并且图案可能被短路。
发明内容
本公开提供了一种包括多个虚设图案的显示设备。
根据一些示例实施例,显示设备包括基板、半导体元件、像素结构以及多个虚设图案。基板具有显示区域和外围区域。半导体元件被设置在基板上显示区域中。像素结构被设置在半导体元件上。虚设图案被设置在基板上外围区域中,并且具有与构成半导体元件的材料相同的材料。虚设图案具有堆叠结构。虚设图案以栅格形状布置在不同层中,并且虚设图案中的每个包括中央部分以及围绕中央部分的边缘部分。虚设图案中的在不同层中彼此邻近的虚设图案的边缘部分在从基板到像素结构的方向上彼此重叠。
在示例性实施例中,在不同层中彼此邻近的虚设图案的中央部分可以彼此不重叠。
在示例实施例中,显示设备可以进一步包括设置在虚设图案和基板之间的有源图案。有源图案可以以栅格形状布置,并且可以与虚设图案的至少一部分重叠。
在示例实施例中,虚设图案可以包括参考虚设图案、下虚设图案、中间虚设图案以及上虚设图案。参考虚设图案可以以第一间距彼此间隔开。下虚设图案可以被设置在参考虚设图案上,并且可以以第一间距彼此间隔开。下虚设图案可以与参考虚设图案中的每个的第一角部、第二角部、第三角部和第四角部重叠。中间虚设图案可以被设置在下虚设图案上,并且可以以第一间距彼此间隔开。中间虚设图案可以与参考虚设图案中的每个的第一侧部和第二侧部以及下虚设图案中的每个的第一侧部和第二侧部重叠。上虚设图案可以被设置在中间虚设图案上,并且可以以第一间距彼此间隔开。上虚设图案可以与参考虚设图案中的每个的第三侧部和第四侧部、下虚设图案中的每个的第三侧部和第四侧部以及中间虚设图案中的每个的第一角部、第二角部、第三角部和第四角部重叠。在参考虚设图案和下虚设图案中的每个中,第一侧部可以面对第二侧部,并且第三侧部可以面对第四侧部。
在示例实施例中,参考虚设图案、下虚设图案、中间虚设图案以及上虚设图案可以具有相同的形状。
在示例实施例中,在参考虚设图案中的每个中,第一侧部的两端可以分别包括第一角部和第二角部,第二侧部的两端可以分别包括第三角部和第四角部,第三侧部的两端可以分别包括第一角部和第三角部,并且第四侧部的两端可以分别包括第二角部和第四角部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





