[发明专利]一种发光二极管显示装置的器件结构在审
| 申请号： | 202011533964.4 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112670324A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 刘宏宇;孙润光 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 袁红梅 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 显示装置 器件 结构 | ||
1.一种发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于：具有无机发光二极管和有机发光二极管。
2.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于：所述的无机发光二极管与有机发光二极管共用导电电极。
3.根据权利要求1-2任一项所述的发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于：所述的无机发光二极管和有机发光二极管相对于衬底，处于上下的排列结构。
4.根据权利要求1-2任一项所述的发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于：所述的无机发光二极管和有机发光二极管相对于衬底，处于并排的排列结构。
5.根据权利要求1-2任一项所述的发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于：所述的无机发光二极管和有机发光二极管相对于衬底，一个无机发光二极管处于较近位置，两个有机发光二极管处于较远位置。
6.根据权利要求5所述的发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于：所述的两个有机发光二极管相对于衬底，处于并排的排列结构。
7.根据权利要求5所述的发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于：所述的无机发光二极管和两个有机发光二极管相对于衬底，处于并排的排列结构。
8.根据权利要求5所述的发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于：所述的两个有机发光二极管相对于衬底，处于上下的排列结构。
9.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于：所述的无机发光二极管和有机发光二极管的电极分别与场效应管连接。
10.根据权利要求9所述的发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于：所述的无机发光二极管和有机发光二极管分别与场效应管连接，场效应管的一层或者多层采用与无机发光二极管功能层相同材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
