[发明专利]一种改善8英寸抛光片背封药液不良的方法

说明书

本发明公开了一种改善8英寸抛光片背封药液不良的方法，其实验方法包括以下步骤：S1、首先将8寸直拉酸腐硅片、氨水、盐酸、双氧水、硅烷、去离子水、按照组分的重量份比称取各相应比例的组分，并放置到相应的储存器皿内部进行备用；S2、然后将称量配比好的8寸直拉酸腐硅片、氨水、盐酸、双氧水、硅烷、去离子水导入到混合器皿内部进行反应，然后通过Pre‑cvd清洗机对8寸直拉酸腐硅片进行LTO前清洗处理工作，并在清洗过程中添加适当的清洗药液，并根据实际需要进行实时调整设备腔体压力，使设备腔体内部的压力能够保持平衡，S3、最后可通过APCVD设备对清洗后的的硅片进行常压化学气相淀积工艺处理，从而能够进行单面制备二氧化硅膜。

技术领域

本发明涉及改善8英寸背封片外观技术领域，具体为一种改善8英寸抛光片背封药液不良的方法。

背景技术

单晶硅片多用于制造集成电路的衬底材料，硅片的表面质量能直接影响客户对产品的判断和利用率，随着硅片尺寸的增大，对于硅片的外观有着更高的要求，且更能体现出硅片的加工水平。

常压设备制备二氧化硅膜时，由于背封前清洗机未甩干导致水渍残留在硅片上，长膜后形成药液不良，8寸硅片背封加工流程为：背封前清洗→背封，背封前清洗机甩干机转速为300+600rpm，甩干时间为20+220s，起初，背封前清洗机甩干机转速和甩干时间不足以将硅片表面的水渍完全去除，尤其在硅片边缘和PFA片篮接触的地方更容易产生水渍聚集，最终导致背封后的药液不良。

发明内容

本发明的目的在于提供一种改善8英寸抛光片背封药液不良的方法，以解决上述背景技术中提出的常压设备制备二氧化硅膜时，由于背封前清洗机未甩干导致水渍残留在硅片上，长膜后形成药液不良，8寸硅片背封加工流程为：背封前清洗→背封，背封前清洗机甩干机转速为300+600rpm，甩干时间为20+220s，起初，背封前清洗机甩干机转速和甩干时间不足以将硅片表面的水渍完全去除，尤其在硅片边缘和PFA片篮接触的地方更容易产生水渍聚集，最终导致背封后的药液不良的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种改善8英寸抛光片背封药液不良的方法，其实验方法包括以下步骤：

S1、首先将8寸直拉酸腐硅片、氨水、盐酸、双氧水、硅烷、去离子水、按照组分的重量份比称取各相应比例的组分，并放置到相应的储存器皿内部进行备用。

S2、然后将称量配比好的8寸直拉酸腐硅片、氨水、盐酸、双氧水、硅烷、去离子水导入到混合器皿内部进行反应，然后通过Pre-cvd清洗机对8寸直拉酸腐硅片进行LTO前清洗处理工作，并在清洗过程中添加适当的清洗药液，并根据实际需要进行实时调整设备腔体压力，使设备腔体内部的压力能够保持平衡。

S3、最后可通过APCVD设备对清洗后的的硅片进行常压化学气相淀积工艺处理，从而能够进行单面制备二氧化硅膜，常压化学气相淀积工艺处理后，可将硅片放置到荧光灯下进行目检全检观察，并将观察的相关数据和图像进行记录对比，通过数据图像对比和分析得出相应的实验结果。

优选的，一种改善8英寸抛光片背封药液，其一种改善8英寸抛光片背封药液的实验原料组成为：

8寸直拉酸腐硅片：CZ；

硅烷分析纯含量：99.999％；

氨水分析纯含量：28％-30％；

盐酸分析纯含量：35％-38％；

双氧水分析纯含量：30％-32％；

去离子水。

优选的，所述Pre-CVD清洗机工艺SC1-1和SC1-2药液配比为NH4·H2O:H2O2：DIW＝1：2：15，清洗温度为70℃±5℃，清洗时间为300sec。