[发明专利]一种PVC保护膜及其制备方法

说明书

本发明涉及保护膜技术领域，特指PVC保护膜及其制备方法,所述PVC保护膜其中一表面为光面，PVC保护膜另一表面为哑面；所述PVC保护膜的光面设置有非硅离型层；PVC保护膜的哑面涂隔离涂层；所述隔离涂层上远离PVC保护膜的表面上设置有丙烯酸酯胶层；通过该保护膜及其制备方法，提高晶圆表面的整洁度，使晶圆的使用性能得到保证，使得PVC薄膜厚度更加均匀，平整，粘性稳定。

技术领域

本发明涉及保护膜技术领域，特指一种PVC保护膜及其制备方法。

背景技术

随着LED行业快速发展，LED晶圆半导体技术亦是日新月异。按照现有LED晶圆半导体开发制程，在切割材料过程需要应用到激光技术，而在激光加工过程中，首先必须保证LED晶圆半导体不受激光影响，避免造成晶圆破坏。

在上述切割技术的背景下，LED晶圆衬底用切割保护膜由此诞生。因国外技术保密和材料禁运，国内LED晶圆衬底用切割保护膜的技术仍处于前期开发探索阶段，基本上沿用的是PET保护膜加工路线，即都是先在PVC保护膜光面加工有机硅离型层，再到哑面加工丙烯酸酯涂层。但若使用该路线，由于有机硅固化条件对温度要求较高，在加工过程，会造成PVC保护膜严重收缩，导致薄膜厚度不均匀，进而对后续的涂胶厚度造成影响，无法做到厚度和粘性稳定。而且PVC保护膜原材料当中含有增塑剂，例如DOP（邻苯二甲酸二辛酯）、DOTP（对苯二甲酸二辛酯）等，增塑剂的存在会使丙烯酸酯胶层的粘性出现一定程度的下降。再加上PVC保护膜背面涂布的是有机硅离型剂，当PVC蓝膜复卷后，丙烯酸酯胶层会与有机硅离型层接触，硅油转移过高也会使丙烯酸酯胶层表面含硅，可能导致硅油转移到客户的晶圆表面，进而导致晶圆存在质量风险。综合以上，现有PVC蓝色保护膜加工存在很大改善空间，非常容易出现热固过程收缩过大，硅油转移过高，丙烯酸酯粘性下降过大的问题。因此，如何改善此类问题，提高产品性能，尽快为国内半导体行业提供可靠的PVC蓝色保护膜具有非常重要的意义。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种PVC保护膜及其制备方法。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

本发明所述的一种PVC保护膜，所述PVC保护膜其中一表面为光面，PVC保护膜另一表面为哑面；所述PVC保护膜的光面设置有非硅离型层；PVC保护膜的哑面涂隔离涂层；所述隔离涂层上远离PVC保护膜的表面上设置有丙烯酸酯胶层。

进一步地，所述PVC保护膜光面粗糙度Ra值为0.01～0.2μm，PVC保护膜的哑面粗糙度Ra值为0.4～0.6μm，PVC保护膜的抗拉强度为40～60MPa，PVC保护膜的伸长率为150～250%。

进一步地，所述非硅离型层的厚度为0.3～1μm；所述PVC保护膜层的厚度为50～120μm；所述隔离涂层的厚度为0.5～4μm；所述丙烯酸酯胶层的厚度为6～30μm。

进一步地，所述非硅离型层由非硅离型剂和异丙醇溶液混合形成离型配液后，在PVC保护膜光面上涂布上所述的离型配液烘干固化成型。

进一步地，所述隔离涂层先由隔离剂和纯净水混合为隔离配液后涂布在PVC保护膜哑面上，通过烘烤固化而成。

进一步地，通过丙烯酸酯胶和稀释溶剂配制成丙烯酸酯配液，再将丙烯酸酯配液与固化试剂充分混合得到丙烯酸酯配液，把丙烯酸酯配液通过烘烤固化形成丙烯酸酯层。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：包括如下步骤：

a、非硅离型层通过将90～110重量份的非硅离型剂和20～50重量份的异丙醇溶液充分混合分散为离型配液；把制得的离型配液涂布在PVC保护膜光面上，在温度60～80℃烘烤30～120秒固化成非硅离型层；

b、通过90～110重量份的隔离剂和20～50重量份的纯净水充分混合直到完全分散为隔离配液后，将隔离配液涂布在步骤a中所述PVC保护膜哑面上，在温度为60～80℃烘烤30～60秒固化而成隔离涂层；