[发明专利]一种二极管电性测试方法在审

专利信息
申请号: 202011504056.2 申请日: 2020-12-18
公开(公告)号: CN112630616A 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 徐建仁 申请(专利权)人: 芜湖德纳美半导体有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 合肥昕华汇联专利代理事务所(普通合伙) 34176 代理人: 孙怀香
地址: 241000 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 二极管 测试 方法
【说明书】:

发明公开了一种二极管电性测试方法,其特征在于,具体步骤如下:S1、加热二极管,将放置有待测二极管放置测试托板上,将测试托板和二极管放入加热箱内,设置加热箱温度范围为40℃‑140℃;S2、二极管通电,在给待测二极管两端施加电脉冲流,脉冲电流的脉冲宽度为100μs,脉冲电流的范围为0.5A‑2.5A;S3记录数据,分别记录在相同温度下不同脉冲电流下和相同脉冲电流强度不同温度下的二极管的压降数据。本发明恒定电流的测试方法来测试二极管,测试数值准确。

技术领域

本发明涉及二极管技术领域,具体为一种二极管电性测试方法。

背景技术

在电子电路中,经常使用到二极管,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛,晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。二极管的散热性能,尤其对于高压大功率二极管,影响极大,高压大电流情况下,倘若这些热量不能及时有效地传播出去,就会造成器件内部热积累,结温上升,使得器件可靠性降低,甚至造成器件功能失效,无法安全工作。因此需要对二极管进行检测。传统的检测方法成本高,耗时长,对封装后的二极管损坏大

发明内容

本发明的目的在于提供一种二极管电性测试方法,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种二极管电性测试方法,其特征在于,具体步骤如下:

S1、加热二极管

将放置有待测二极管放置测试托板上,将测试托板和二极管放入加热箱内,设置加热箱温度范围为40℃-140℃;

S2、二极管通电

在给待测二极管两端施加电脉冲流,脉冲电流的范围为0.5A-2.5A;

S3记录数据

分别记录下二极管压降数据。

优选的,所述步骤S1,每升高20℃设置一个温度点。

优选的,所述步骤2中,电流以每升高0.5A为一个电流测试点。

优选的,所述步骤S1中加热时间为15min-30min。

优选的,所述步骤S2中脉冲电流的脉冲宽度为100μs。

优选的,所述步骤S3中分别记录在相同温度下不同脉冲电流下和相同脉冲电流强度不同温度下的二极管的压降数据。

优选的,所述步骤S2中,测试中二极管位于加热箱内。

与现有技术相比,本发明的有益效果是:

1、本发明测试方法不会对待测器件造成破坏,不需要对待测器件进行开封等操作;

2、本发明的采用通过恒定电流的测试方法来测试二极管,测试数值准确。

附图说明

图1为本发明一种二极管电性测试方法整体结构剖视图;

图2为本发明二极管在40℃时不同脉冲电流强度下的压降图;

图3为本发明二极管在1mA脉冲电流强度时不同温度下的压降图。

具体实施方式

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