[发明专利]一种锗多结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种锗多结太阳能电池，其特征在于，包括：顺序层叠设置的Ge子电池、InGaAs子电池、InGaAsP子电池和InAlGaP子电池。

2.根据权利要求1所述的锗多结太阳能电池，其特征在于，所述Ge子电池包括：InGaP、InGaAs或InAlGaAS背电场层、Ge基区、Ge发射区以及InGaP或AlInP窗口层。

3.根据权利要求2所述的锗多结太阳能电池，其特征在于，所述Ge发射区的厚度大于所述Ge基区的厚度，所述Ge基区的掺杂浓度为3-5×10¹⁸m^-3，所述Ge发射区的掺杂浓度为3-5×10¹⁸m^-3。

4.根据权利要求1所述的锗多结太阳能电池，其特征在于，所述InGaAs子电池包括：InAlGaP或InAlGaAs背电场层、InGaAs基区、InGaAs或InGaP发射区以及AlInP窗口层。

5.根据权利要求1所述的锗多结太阳能电池，其特征在于，所述InGaAsP子电池包括：InAlGaP或InAlGaAs背电场层、InGaAsP基区、InAlGaAs或InGaP发射区以及AlInP窗口层。

6.根据权利要求1所述的一种锗多结太阳能电池，其特征在于，所述InAlGaP子电池包括：InAlGaP或InAlGaAs背电场层、InAlGaP基区、InAlGaP发射区以及AlInP窗口层。

7.根据权利要求1所述的一种锗多结太阳能电池，其特征在于，所述Ge子电池、InGaAs子电池、InGaAsP子电池和InAlGaP子电池之间具有隧穿结。

8.根据权利要求1-7任一项所述的锗多结太阳能电池，其特征在于，所述Ge子电池、InGaAs子电池之间具有第一组分渐变缓冲层。

9.根据权利要求8所述的锗多结太阳能电池，其特征在于，所述InGaAsP子电池和所述InAlGaP子电池之间具有第二组分渐变缓冲层。

10.根据权利要求1-7任一项所述的锗多结太阳能电池，其特征在于，还包括Si衬底，所述Ge子电池、InGaAs子电池、InGaAsP子电池和InAlGaP子电池顺序设置在所述Si衬底上。

11.根据权利要求10所述的锗多结太阳能电池，其特征在于，所述Si衬底和所述Ge子电池之间具有SiGe合金缓冲层。

12.根据权利要求1-7任一项所述的锗多结太阳能电池，其特征在于，还包括柔性衬底，所述Ge子电池、InGaAs子电池、InGaAsP子电池和InAlGaP子电池顺序设置在所述柔性衬底上。

13.根据权利要求12所述的锗多结太阳能电池，其特征在于，所述柔性衬底为薄膜金属衬底或聚酰亚胺衬底。

14.一种制作锗多结太阳能电池的方法，其特征在于，包括：

提供Si衬底；以及

在Si衬底上依次外延生长Ge子电池、InGaAs子电池、InGaAsP子电池和InAlGaP子电池。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，在Si衬底上外延生长Ge子电池之前，在Si衬底上先外延生长牺牲层，并且，

所述方法还包括：通过腐蚀牺牲层将Si衬底剥离，在剥离Si衬底后的Ge子电池上连接柔性衬底。