[发明专利]存储器的制作方法

权利要求书

1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，所述衬底上具有双堆叠结构，所述双堆叠结构中具有贯穿至所述衬底的多个沟道孔阵列，各所述沟道孔阵列包括多排沿第一方向分布的沟道孔；

位于所述沟道孔阵列中部的任意一排所述沟道孔作为待刻蚀沟道孔列，减薄所述待刻蚀沟道孔列中间隔各所述沟道孔的所述双堆叠结构，形成顶部选择栅开口；

在所述沟道孔中形成沟道结构，并在所述顶部选择栅开口中形成顶部选择栅切线。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述沟道孔阵列包括N排所述沟道孔，当所述N为奇数时，所述待刻蚀沟道孔列为第/2排所述沟道孔；

当所述N为偶数时，所述待刻蚀沟道孔列为第N/2排或第N/2+1排所述沟道孔。

3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括在所述衬底上形成具有所述沟道孔阵列的所述双堆叠结构的步骤：

在所述衬底上形成第一堆叠结构，形成贯穿所述第一堆叠结构至所述衬底的下沟道通孔阵列，所述下沟道通孔阵列包括多排沿第一方向分布的第一沟道通孔，在各所述第一沟道通孔中形成填充层；

在所述第一堆叠结构上形成第二堆叠结构，形成贯穿所述第二堆叠结构至所述填充层的上沟道通孔阵列，所述上沟道通孔阵列包括与所述第一沟道通孔一一对应的第二沟道通孔，

在形成所述沟道结构和所述顶部选择栅切线的步骤之前，所述制作方法还包括以下步骤：

去除所述填充层，以将所述第一沟道通孔与所述第二沟道通孔一一连通形成所述沟道孔。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，形成所述顶部选择栅开口的步骤包括：

在所述第二堆叠结构上覆盖光刻胶，部分所述光刻胶填充于所述第二沟道通孔中；

图形化所述光刻胶；

以剩余的所述光刻胶为掩膜对所述第二堆叠结构进行刻蚀，形成所述顶部选择栅开口，并去除剩余的所述光刻胶。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，图形化所述光刻胶的步骤包括：

去除位于所述待刻蚀沟道孔列中及其上方的所述光刻胶，以及去除所述待刻蚀沟道孔列中相邻的所述第二沟道通孔之间的所述第二堆叠结构上的所述光刻胶。

6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，

所述第一堆叠结构包括沿远离所述衬底的方向交替层叠的第一牺牲层和第一隔离层；

所述第二堆叠结构包括沿远离所述衬底的方向交替层叠的第二牺牲层和第二隔离层。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在形成所述沟道结构和所述顶部选择栅切线的步骤之后，所述制作方法还包括以下步骤：

形成贯穿所述双堆叠结构至所述衬底的栅极隔槽；

置换所述第一牺牲层和所述第二牺牲层为栅极层；

在所述栅极隔槽中形成共源极，以使所述共源极与所述栅极接触。

8.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，形成所述沟道结构的步骤包括：

在所述沟道孔的侧壁上顺序形成栅电介质层和沟道层，所述栅电介质层位于所述沟道层和所述双堆叠结构之间。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成所述沟道结构的步骤还包括：

在所述沟道孔中填充介电材料，以形成被所述沟道层包裹的介电填充层。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在形成所述顶部选择栅切线的步骤中，同时向所述沟道孔和所述顶部选择栅开口中填充介电材料，以在所述沟道孔中形成被所述沟道层包裹的所述介电填充层，并在所述选择栅开口中形成所述顶部选择栅切线。