[发明专利]TSV转接板结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202011476243.4 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112599423A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 戴风伟;曹立强 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tsv 转接 板结 及其 制造 方法 | ||
1.一种TSV转接板结构的制造方法，其特征在于，包括：
制作基板，所述基板包括依次堆叠的底层基板层、中间基板层及顶层基板层；
在顶层基板层上形成TSV结构，通过所述TSV结构暴露出部分中间基板层；
去除底层基板层；
在中间基板层上的TSV结构中形成电性引出结构。
2.如权利要求1所述的TSV转接板结构的制造方法，其特征在于，所述底层基板层的材料为硅，所述中间基板层的材料为二氧化硅，所述顶层基板层的材料为硅。
3.如权利要求1所述的TSV转接板结构的制造方法，其特征在于，还包括：
在顶层基板层上形成TSV结构之前，对所述顶层基板层进行减薄工艺，以使所述顶层基板层的高度等于TSV结构的设计深度。
4.如权利要求1所述的TSV转接板结构的制造方法，其特征在于，在顶层基板层上形成TSV结构包括：
所述TSV结构通过深反应离子刻蚀工艺形成第一通孔，刻蚀工艺进行至第一通孔暴露出中间基板层为止。
5.如权利要求4所述的TSV转接板结构的制造方法，其特征在于，在第一通孔中依次形成TSV绝缘层、TSV阻挡层和TSV种子层，电镀填充第一通孔，形成TSV金属连接柱。
6.如权利要求5所述的TSV转接板结构的制造方法，其特征在于，还包括：
在第一通孔的开口处，制作第一RDL金属互连层和/或微凸点，所述第一RDL金属互连层和/或微凸点与TSV金属连接柱电连接。
7.如权利要求1所述的TSV转接板结构的制造方法，其特征在于，去除底层基板层后，使中间基板层完全暴露。
8.如权利要求5所述的TSV转接板结构的制造方法，其特征在于，在中间基板层上形成电性引出结构包括：
所述电性引出结构通过光刻和刻蚀工艺形成第二通孔，刻蚀工艺进行至第二通孔暴露出TSV金属连接柱为止。
9.如权利要求8所述的TSV转接板结构的制造方法，其特征在于，在中间基板层上形成电性引出结构还包括：
在第二通孔的开口处，制作第二RDL金属互连层和/或微凸点，所述第二RDL金属互连层和/或微凸点与TSV金属连接柱电连接。
10.一种TSV转接板结构，其特征在于，所述TSV转接板结构通过权利要求1所述的制造方法形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011476243.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
