[发明专利]一种引线结构以及引线结构的形成方法有效
| 申请号: | 202011473818.7 | 申请日: | 2020-12-15 |
| 公开(公告)号: | CN112652886B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
| 发明(设计)人: | 王莹;龙涛 | 申请(专利权)人: | 江苏惠通集团有限责任公司 |
| 主分类号: | H01Q1/50 | 分类号: | H01Q1/50;H01Q1/38;H01Q1/48 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
| 地址: | 212003 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 引线 结构 以及 形成 方法 | ||
1.一种引线结构,其特征在于,所述引线结构包括:
第一分支和第二分支,所述第一分支和第二分支分别位于两个不同的相互平行的水平面上;
所述引线结构的载体为介质层,所述介质层包括多个子层,所述第一分支和第二分支分别位于所述介质层的不同子层的表面;
第一屏蔽结构和第二屏蔽结构,所述第一屏蔽结构和第二屏蔽结构分别位于所述第一分支和第二分支的两侧;
所述第一屏蔽结构至少贯穿所述第一分支所在的子层与所述第二分支所在的子层之间的部分,所述第二屏蔽结构至少贯穿所述第一分支所在的子层与所述第二分支所在的子层之间的部分。
2.如权利要求1所述的引线结构,其特征在于,所述第一分支和第二分支沿垂直于所述介质层表面的方向投影重叠。
3.如权利要求1所述的引线结构,其特征在于,所述介质层为印刷电路板。
4.如权利要求1所述的引线结构,其特征在于,所述第一屏蔽结构和第二屏蔽结构的材料为锡、铜、金或者银。
5.如权利要求1所述的引线结构,其特征在于,所述第一屏蔽结构和第二屏蔽结构距离所述第一分支和第二分支的距离大于或者等于0.5mm。
6.如权利要求1所述的引线结构,其特征在于,所述第一屏蔽结构和第二屏蔽结构的宽度大于或者等于0.1mm。
7.如权利要求1所述的引线结构,其特征在于,所述第一屏蔽结构和第二屏蔽结构的长度大于或者等于所述第一分支和第二分支的长度。
8.如权利要求1所述的引线结构,其特征在于,所述第一屏蔽结构和第二屏蔽结构在所述介质层垂直方向的厚度大于或者等于所述引线结构的第一分支和第二分支之间的距离。
9.一种引线结构的形成方法,所述引线结构的载体为介质层,其特征在于,包括:
在所述介质层的第一表面形成所述引线结构的第一分支;
在所述介质层的第二表面形成所述引线结构的第二分支,其中所述第一表面和第二表面不同且相互平行;
所述介质层包括多个子层,所述引线结构中的第一分支和第二分支分别形成于所述介质层的不同子层的表面;
在所述引线结构的第一分支和第二分支的两侧垂直于所述介质层表面的方向形成第一屏蔽结构和第二屏蔽结构。
10.如权利要求9所述的引线结构的形成方法,其特征在于,所述第一分支和第二分支沿垂直于所述介质层表面的方向投影重叠。
11.如权利要求9所述的引线结构的形成方法,其特征在于,所述介质层为印刷电路板。
12.如权利要求9所述的引线结构的形成方法,其特征在于,所述第一屏蔽结构和第二屏蔽结构的材料为锡、铜、金或者银。
13.如权利要求9所述的引线结构的形成方法,其特征在于,在所述引线结构的第一分支和第二分支的两侧垂直于所述介质层表面的方向形成第一屏蔽结构和第二屏蔽结构包括:
在所述引线结构的第一分支和第二分支的两侧垂直于所述介质层表面的方向形成第一通孔和第二通孔,所述第一通孔至少贯穿所述第一分支所在的子层与所述第二分支所在的子层之间的部分,所述第二通孔至少贯穿所述第一分支所在的子层与所述第二分支所在的子层之间的部分;
在所述第一通孔和第二通孔内填充金属以形成所述第一屏蔽结构和第二屏蔽结构。
14.如权利要求13所述的引线结构的形成方法,其特征在于,所述第一通孔和第二通孔在所述介质层的水平方向距离所述引线结构的第一分支和第二分支大于或者等于0.5mm。
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