[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管仿真方法、装置及存储介质有效
| 申请号： | 202011472354.8 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112560381B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 张永明;蔡文必;魏鸿基;林义书 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 张江陵 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基高 电子 迁移率 晶体管 仿真 方法 装置 存储 介质 | ||
1.一种氮化镓基高电子迁移率晶体管仿真方法，其特征在于，包括：
获取待仿真的输入电压；
将所述输入电压输入氮化镓基高电子迁移率晶体管模型，获取所述氮化镓基高电子迁移率晶体管模型运行后输出的输出电流，其中，所述氮化镓基高电子迁移率晶体管模型包括：氮化镓基高电子迁移率晶体管原始ASM模型，在所述氮化镓基高电子迁移率晶体管原始ASM模型的栅极和源极之间设有电性关系，以及在所述氮化镓基高电子迁移率晶体管原始ASM模型的栅极和漏极之间设有电性关系；且所述氮化镓基高电子迁移率晶体管模型的公式包含所述栅极与所述源极之间的反向电流的计算公式、所述栅极与所述漏极之间的反向电流的计算公式；
所述栅极与所述源极之间的反向电流的计算公式为：所述栅极与所述漏极之间的反向电流的计算公式为：其中，Igsr为栅极和源极之间的反向电流，Isat1为栅极和源极之间的反向饱和电流，Vgsi为栅极和源极两端的反向电压，n为二极管理想因子，k为玻尔兹曼常数，T为开氏温度，Igdr为栅极和漏极之间的反向电流，Isat2为栅极和漏极之间的反向饱和电流，Vgdi为栅极和漏极两端的反向电压；
或者，所述栅极与所述源极之间的反向电流的计算公式为：所述栅极与所述漏极之间的反向电流的计算公式为：其中，Igsr为栅极和源极之间的反向电流，C为第一模型系数，μ为载流子扩散迁移率，Vgs为栅极和源极两端的电压，β为第二模型系数，PFC为修正因子，Igdr为栅极和漏极之间的反向电流，Vgd为栅极和漏极两端的电压。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化镓基高电子迁移率晶体管原始ASM模型包括所述栅极与所述源极之间的正向电流公式；所述栅极与所述源极之间的正向电流公式和所述栅极与所述源极之间的反向电流的计算公式进行减法运算。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氮化镓基高电子迁移率晶体管原始ASM模型还包括所述栅极与所述漏极之间的正向电流公式；所述栅极与所述漏极之间的正向电流公式和所述栅极与所述漏极之间的反向电流的计算公式进行减法运算。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极和源极两端的反向电压Vgsi＝Vgs-Igsr×Rrev，其中，Vgs为栅极和源极两端的电压，Igsr为栅极和源极之间的反向电流，Rrev为反向二极管的串联寄生电阻。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述栅极和漏极两端的反向电压Vgdi＝Vgd-Igdr×Rrev，其中，Vgd为栅极和漏极两端的电压，Igdr为栅极和漏极之间的反向电流，Rrev为反向二极管的串联寄生电阻。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述修正因子其中，ψd为零偏下势垒高度，n为二极管理想因子，k为玻尔兹曼常数，T为开氏温度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市三安集成电路有限公司，未经厦门市三安集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011472354.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
