[发明专利]一种去除钼材质表面金属导电薄膜的清洗方法在审
| 申请号: | 202011444307.2 | 申请日: | 2020-12-08 |
| 公开(公告)号: | CN112605039A | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
| 发明(设计)人: | 穆帅帅;张代龙;马有杰;贺贤汉 | 申请(专利权)人: | 富乐德科技发展(天津)有限公司 |
| 主分类号: | B08B3/02 | 分类号: | B08B3/02;B08B3/12;B24C1/08;C23F1/16;C23G1/10 |
| 代理公司: | 天津市新天方专利代理有限责任公司 12104 | 代理人: | 孔珍 |
| 地址: | 301712 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 去除 材质 表面 金属 导电 薄膜 清洗 方法 | ||
1.一种去除钼材质表面金属导电薄膜的清洗方法,其特征在于,其步骤如下:
(1)来料检查
对待清洗钼材质部件进行外观检查,确认有无缺损;
(2)纯水冲洗
使用水枪对清洗钼材质部件进行全面冲洗,去除钼材质部件表面疏松的膜层;
(3)盐酸浸泡
将待清洗部件浸入盐酸溶液中,盐酸溶液中盐酸和水的体积配比为1:1,浸泡1小时以上,去除钼材质部件表面附着的膜层,取出后立即使用纯水冲洗,冲洗时间3分钟;
(4)乙二酸浸泡
将经步骤(3)盐酸浸泡并冲洗后的钼材质部件浸入乙二酸溶液中,乙二酸溶液中乙二酸和水的体积配比为1:2,浸泡10分钟,去除钼材质部件表面残留膜层,取出后立即使用纯水冲洗,冲洗时间3分钟;
(5)表面喷砂
对经步骤(4)清洗完毕后的钼材质部件采用喷砂机进行喷砂处理,喷砂时间为3-5分钟,去除钼材质部件表面氧化层,喷砂机的参数如下:压力为4-5kg/cm2,喷砂枪头与部件距离为15-20厘米,角度60-90度,喷砂介质为氧化硅;
(6)硝酸和氢氟酸浸泡
将喷砂完毕的钼材质部件浸入硝酸和氢氟酸的混合溶液中,硝酸和氢氟酸的混合溶液中硝酸、氢氟酸和水的体积配比为1:1:98,浸泡3-5分钟,然后立即取出,使用纯水进行冲洗;
(7)纯水浸泡
将经步骤(6)清洗完毕后的钼材质部件浸入纯水中浸泡30分钟以上,然后使用压缩空气吹干部件表面的水迹;
(8)超声波清洗
将步骤(7)吹干水迹后的钼材质部件流转至100级洁净间,然后将钼材质部件放入超声波清洗槽中,清洗30分钟,每15分钟翻转一次部件,超声波频率为40KHz,超声波功率密度为8-12瓦/平方英寸,清洗槽内纯水保持溢流;
(9)氮气吹扫
对步骤(8)中超声波清洗完毕的钼材质部件,使用纯度为99.999%的氮气进行表面吹扫,去除钼材质部件表面的水迹;
(10)干燥
将步骤(9)中吹扫完毕的钼材质部件转移至洁净的干燥箱中,干燥3个小时,待钼材质部件自然冷却后,将钼材质部件取出即可。
2.根据权利要求1所述的一种去除钼材质表面金属导电薄膜的清洗方法,其特征在于,所述步骤(3)中盐酸溶液浸泡温度为20-40℃。
3.根据权利要求1所述的一种去除钼材质表面金属导电薄膜的清洗方法,其特征在于,所述步骤(4)中的乙二酸溶液浸泡温度为20-40℃。
4.根据权利要求1所述的一种去除钼材质表面金属导电薄膜的清洗方法,其特征在于,所述步骤(5)中氧化硅的粒径为0.03-0.5毫米。
5.根据权利要求1所述的一种去除钼材质表面金属导电薄膜的清洗方法,其特征在于,所述步骤(5)中氧化硅的粗糙度要求为0.5-1.0微米。
6.根据权利要求1所述的一种去除钼材质表面金属导电薄膜的清洗方法,其特征在于,所述步骤(8)中清洗槽内纯水的溢流流量为20L/min。
7.根据权利要求1所述的一种去除钼材质表面金属导电薄膜的清洗方法,其特征在于,所述步骤(10)中干燥箱的干燥温度为150℃。
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