[发明专利]共源共栅结构、输出结构、放大器与驱动电路

权利要求书

1.一种共源共栅结构，其特征在于，所述共源共栅结构中的共栅结构的偏置电压由其自身提供，所述共源共栅结构具有第一节点、第二节点、第三节点、第四节点、第五节点。

2.如权利要求1所述的共源共栅结构，其特征在于，所述共源共栅结构的共栅结构包括：

第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极、漏极和所述第二晶体管的栅极均连接所述第一节点，所述第二晶体管的漏极连接所述第二节点。

3.如权利要求2所述的共源共栅结构，其特征在于，所述共源共栅结构的共源结构包括：

第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的漏极连接所述第一晶体管的源极，所述第四晶体管的漏极连接所述第二晶体管的源极，所述第三晶体管的源极与所述第四晶体管的源极均连接所述第三节点，所述第三晶体管的栅极连接所述第四节点，所述第四晶体管的栅极连接所述第五节点。

4.如权利要求3所述的共源共栅结构，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的类型相同。

5.一种放大器，其特征在于，包括：

如权利要求1至4任一项所述的共源共栅结构，所述共源共栅结构中的所述第四节点和所述第五节点分别作为所述放大器的第一输入端口和第二输入端口；

电流源，包括两个端口，所述电流源的第一端口连接所述第三节点；

负载结构，包括四个端口，所述负载结构的第一端口连接所述第一节点，所述负载结构的第二端口连接所述第二节点，所述负载结构的第二端口作为所述放大器的输出端口。

6.如权利要求5所述的放大器，其特征在于，所述电流源的晶体管类型与所述共源共栅结构的晶体管类型相同。

7.如权利要求5所述的放大器，其特征在于，所述负载结构包括：

第五晶体管和第六晶体管，所述第五晶体管的栅极、漏极均与所述第六晶体管的栅极连接，所述第五晶体管的漏极作为所述负载结构的第一端口，所述第六晶体管的漏极作为所述负载结构的第二端口，所述第五晶体管的源极作为所述负载结构的第三端口，所述第六晶体管的源极作为所述负载结构的第四端口。

8.如权利要求5所述的放大器，其特征在于，所述负载结构中的晶体管类型与所述共源共栅结构的晶体管类型不同。

9.如权利要求5所述的放大器，其特征在于，所述电流源的第二端口接地，所述负载结构的所述第三端口和所述第四端口均连接电源。

10.如权利要求5所述的放大器，其特征在于，所述电流源的第二端口连接电源，所述负载结构的所述第三端口和所述第四端口均接地。

11.一种输出结构，其特征在于，所述输出结构中的晶体管的偏置电压均由所述输出结构自身提供，所述输出结构包括第一节点、第二节点、第六节点、第七节点、第八节点、第九节点。

12.如权利要求11所述的输出结构，其特征在于，所述输出结构包括：

第一晶体管、第二晶体管、第五晶体管、第六晶体管，所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的栅极、所述第三晶体管的栅极、所述第四晶体管的栅极、所述第一晶体管的漏极、所述第五晶体管的漏极均连接所述第一节点，所述第二晶体管的漏极、所述第六晶体管的漏极均连接所述第二节点，所述第一晶体管的源极连接所述第六节点，所述第二晶体管的源极连接所述第七节点，所述第五晶体管的源极连接所述第八节点，所述第六晶体管的源极连接所述第九节点，所述第二节点作为所述输出结构的输出端口。

13.如权利要求12所述的输出结构，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管为N型晶体管，所述第五晶体管和所述第六晶体管为P型晶体管。