[发明专利]一种利用温度校准基准电压的方法、系统及存储介质

说明书

本发明公开了一种利用温度校准基准电压的方法、系统及存储介质，涉及校准方法的技术领域，其中方法包括获取温度基准T_REF、温度基准T_REF下的感温电压△Vbe_TREF、基准ADC电压值VADC_TREF；用模数转换器ADC测量当前温度T下的感温电压△Vbe_T，得到测量ADC电压值VADC_T，根据测量ADC电压值VADC_T、温度基准T_REF、基准ADC电压值VADC_TREF通过公式：T=VADC_T*T_REF/VADC_TREF，计算得出当前温度T；根据温度基准T_REF下的感温电压△Vbe_TREF、当前温度T，计算得到当前温度T下的感温电压△Vbe_T，并最终计算出基准电压VREF的值，本发明具有不需要对环境温度做特殊要求、得到的基准电压VREF值相对准确、基准电压校准流程较为简便、成本较低的优点。

【技术领域】

本发明涉及芯片的技术领域，特别是涉及一种利用温度校准基准电压的方法、系统及存储介质。

【背景技术】

在很多应用中，需要用到比较准确的电压或电流基准，比如说模数转换器ADC的基准。在芯片的实际生产过程中，由于工艺的波动，生产出来的芯片基准电压一定是波动的，这就需要生产校准，经典的方式是利用高精度的电压表对基准电压进行测量，在实际测量过程中，对测量环境较为苛刻，需要相对较长时间稳定的电压，而且还需要稳定的环境温度；而且有时候基准电压在芯片内部，没有外面的引脚，这样就不能用直接测量电压的方式进行测量。

【发明内容】

本发明为了克服背景技术中提到的不足，提出一种利用温度校准基准电压的方法、系统及存储介质。

为实现上述目的，本发明提出了一种利用温度校准基准电压的方法，包括：

温度校准，获取温度基准T_REF、温度基准T_REF下的感温电压△Vbe_TREF、基准ADC电压值VADC_TREF；用模数转换器ADC得到测量ADC电压值VADC_T，所述测量ADC电压值VADC_T是将当前温度T下的感温电压经过测量转换后的值；根据所述测量ADC电压值VADC_T、所述温度基准T_REF、所述基准ADC电压值VADC_TREF通过公式：T=VADC_T*T_REF/VADC_TREF，计算得出当前温度T；根据所述温度基准T_REF下的感温电压△Vbe_TREF、所述当前温度T，通过公式：△Vbe_T=△Vbe_TREF+K*T，计算得到所述当前温度T下的感温电压△Vbe_T，K是根据生产工艺得到单位温度变化时感温电压的变化值；根据所述当前温度T下的感温电压△Vbe_T、所述测量ADC电压值VADC_T，通过公式：△Vbe_T=VADC_T*VREF/2^15, 计算出基准电压VREF的值。

进一步地，所述温度校准包括：晶圆测试过程中，测量得到温度基准T_REF；在芯片内部存储所述温度基准T_REF、基准ADC电压值VADC_TREF，所述基准ADC电压值VADC_TREF是将所述温度基准T_REF下的感温电压△Vbe_TREF经过模数转换得到的值。

进一步地，所述用模数转换器ADC得到测量ADC电压值VADC_T是通过芯片内部的模数转换器进行。