[发明专利]半导体装置在审
| 申请号: | 202011430081.0 | 申请日: | 2020-12-07 |
| 公开(公告)号: | CN112994673A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
| 发明(设计)人: | 羽生洋;山本晃央 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号: | H03K17/567 | 分类号: | H03K17/567 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其具有:
检测电路,其连接于半导体开关元件的正电极以及负电极之间,
所述检测电路包含在所述正电极以及所述负电极之间经由第1节点而串联连接的电流源以及具有第1电阻值的第1电阻元件,
所述半导体装置还具有:
电压比较器,其输出被输入至第2节点的直流电压与所述第1节点的电压之间的比较结果,
所述直流电压以及所述第1电阻值被设定为,在所述正电极以及所述负电极之间的电极间电压比预先确定的判定电压高时,所述第1节点的电压比所述直流电压高,
所述检测电路以及所述电压比较器搭载于相同的集成电路之上。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述检测电路还包含:
第2电阻元件,其在所述正电极以及所述第1节点之间与所述电流源串联连接,
所述第2电阻元件具有第2电阻值,
所述第1以及第2电阻值、所述直流电压被设定为,在所述电极间电压比所述判定电压高时,所述第1节点的电压比所述直流电压高。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,
所述电流源具有进行了二极管连接的场效应晶体管。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,
所述电流源具有构成电流镜电路的多个场效应晶体管。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置,其中,
还具有对所述半导体开关元件的控制电极进行驱动的驱动电路,
所述驱动电路搭载于与所述检测电路以及所述电压比较器相同的所述集成电路之上。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,
还具有保护电路,该保护电路接收用于对所述半导体开关元件的通断进行控制的第1控制信号和所述电压比较器的输出信号,向所述驱动电路输出第2控制信号,
所述第2控制信号以如下方式生成,即,即使所述第1控制信号从指示所述半导体开关元件的断开的第1电平变化为指示接通的第2电平,在所述电极间电压不比所述判定电压低时,也对所述驱动电路指示所述半导体开关元件的断开。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,
所述保护电路搭载于与所述驱动电路相同的所述集成电路之上。
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