[发明专利]一种表面光学共振增强的银纳米结构光电阴极在审
| 申请号： | 202011420324.2 | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN112635582A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 陈若曦;沙娓娓;王勇;陈佳慧;田春英;曹俊杰;张俊举 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/10;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 岑丹 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面 光学 共振 增强 纳米 结构 光电 阴极 | ||
【权利要求书】：
1.一种表面光学共振增强的银纳米结构光电阴极，其特征在于，包括GaAs(100)衬底层(1)、设置在GaAs衬底层(1)上的GaAs发射层(2)、设置在GaAs发射层(2)上的Ag纳米粒子阵列(3)，以及设置在Ag纳米粒子上的Cs/O激活层(4)。
2.根据权利要求1所述的表面光学共振增强的银纳米结构光电阴极，其特征在于，所述Ag纳米粒子为圆球形状，半径为75nm，Ag纳米粒子间隔为200nm。
3.根据权利要求1所述的表面光学共振增强的银纳米结构光电阴极，其特征在于，所述GaAs(100)衬底层(1)的位错密度≤100cm-2。
4.根据权利要求1所述的表面光学共振增强的银纳米结构光电阴极，其特征在于，所述GaAs(100)衬底层(1)的厚度为1500nm。
5.根据权利要求1所述的表面光学共振增强的银纳米结构光电阴极，其特征在于，所述GaAs发射层(2)为p型掺杂，掺杂浓度为1*10-19cm-3,掺杂原子为Zn。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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