[发明专利]衬底加工方法及利用该方法加工的衬底

说明书

本发明提供一种衬底加工方法及利用该方法加工的衬底，所述衬底加工方法包括以下步骤：对衬底进行线切割处理，得到预定厚度的衬底；在切割得到的衬底进行甩胶处理，以在衬底表面形成一层平坦膜；在所述平坦膜固化后通过聚焦激光二维扫描所述经切割衬底来在所述经切割的衬底的预定深度位置产生破坏层；基于所述破坏层对衬底进行剥片处理；对剥片处理后的衬底进行抛光处理。本发明的衬底加工方法及利用该方法加工的衬底，能够大幅度的降低机械加工的过程，由此降低衬底的应力分布，提高衬底的质量，并降低衬底加工成本。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种衬底加工方法及利用该方法加工的衬底。

背景技术

目前常规的衬底加工工艺一般包括线切、研磨、倒角、退火、铜抛和抛光等过程，如图1所示，其中主要的过程和机制为机械(如线切、研磨、倒角和铜抛)、化学(如抛光)和热学加工(如退火)。

传统的机械加工中，不可避免的存在压力接触或摩擦过程，会在衬底的表面或者内部产生损伤，从而使衬底产生非均匀的应力，非均匀的应力会存在两种负面的影响：(1)非均匀的应力会改变衬底的原子间距，降低外延材料的品质，使得缺陷密度增加；(2)非均匀的应力会使衬底发生变形，产生很大的翘曲，例如线切产生的翘曲(warp)可达40um以上。此外，传统的机械加工中线切处理后得到的线切片表面会存在线切痕，高度一般在1um～100um，这是由于用于线切的钻石线有一定的直径，大约100um～500um，在切割过程中，钻石线做高速往复运动，不可避免地会产生抖动，因此，会在衬底的表面形成线切痕。线切痕的出现有可能会对衬底的后续加工工艺产生影响。要去除线切痕，大致需要抛光或研磨去掉100um厚度，使粗糙度降低至0.5um以下，这种去掉100um厚度的抛光或研磨处理对于衬底材料是一种浪费，导致衬底加工成本大大升高；此外，抛光处理需要的时间太久，例如目前Al₂O₃衬底抛光的移除率约10um/h，也就是说Al₂O₃要去除100um厚度需要10h以上，这显然是不可行的。更进一步的，长时间抛光或研磨这种机械加工方式会对衬底本身产生较大的、非均匀的机械应力，从而对降低衬底品质。

由于衬底的品质是决定器件性能的一个很重要的因素，因此如何提高衬底的品质是一个亟待解决的问题。

发明内容

鉴于现有技术中存在的问题，本发明实施例提供了一种衬底加工方法及利用该方法加工的衬底，通过利用隐镭这种物理非接触过程代替至少部分传统的机械加工过程，降低衬底应力分布，来提高衬底的质量。

本发明的一方面提供一种衬底加工方法，所述方法包括以下步骤：

对衬底进行切割处理，得到预定厚度的衬底切片；

对切割得到的衬底切片进行甩胶处理，以在衬底切片表面形成一层液体胶平坦膜；

在所述液体胶平坦膜固化后通过聚焦激光二维扫描所述衬底切片的带平坦膜的表面来在该衬底切片的预定深度位置产生破坏层；

基于所述破坏层对衬底切片进行剥片处理；

对剥片处理后的衬底进行抛光处理。

在本发明一实施例中，在所述对剥片处理后的衬底进行抛光处理之前，所述方法还包括：对剥片处理前的衬底切片进行清洗；和/或对剥片处理后的衬底边缘进行倒角处理。

在本发明一实施例中，所述切割处理为线切处理。

在本发明一实施例中，所述衬底的加工过程不包括铜抛和/或研磨处理。

在本发明一实施例中，所述液体胶包括如下成分：预聚物50～100份、惰性树脂20～90份、单体35～70份、光引发剂5～12份、偶联剂2～3份及助剂1～2份。