[发明专利]显示装置在审
| 申请号: | 202011411245.5 | 申请日: | 2020-12-03 |
| 公开(公告)号: | CN112992977A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
| 发明(设计)人: | 高宣煜;金贤珍;吴锦美;高承孝 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;G09G3/3233 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
本发明的实施方式涉及显示装置,包括:显示面板,包括具有第一分辨率的第一区域和具有低于所述第一分辨率的第二分辨率的第二区域;多个第一薄膜晶体管,设置在位于所述第一区域中的多个子像素中的每一个中;及多个第二薄膜晶体管,设置在位于所述第二区域中的多个子像素中的每一个中,其中,所述多个第一薄膜晶体管中的每一个可包括位于所述第一薄膜晶体管的沟道区的一个表面上的一个栅极,所述多个第二薄膜晶体管中的每一个可包括位于所述第二薄膜晶体管的沟道区的两个表面上的多个栅极。本发明具可以实现位于有源区域中的光学传感器的感测功能,并且能够补偿低分辨率区域的亮度并防止了低分辨率区域和高分辨率区域之间的亮度偏差。
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2019年12月18日提交的韩国专利申请No.10-2019-0169598的优先权,为了所有目的通过引用的方式将该专利申请并入本文,如同在本文完全阐述一样。
技术领域
本发明的实施方式涉及显示装置。
背景技术
信息社会的发展导致对显示图像的显示装置和诸如液晶显示装置、有机发光显示装置等之类的各种类型的显示装置的使用的需求增加。
显示装置可包括设置有多条栅极线、多条数据线和多个子像素的显示面板,以及用于驱动栅极线和数据线等的各种驱动电路。显示面板可包括有源区域和非有源区域,有源区域中设置有多个子像素并且显示图像,非有源区域位于有源区域的外部并且设置有信号线等。
此处,根据类型,显示装置可包括设置在非有源区域中的相机传感器或接近传感器(在下文中,也称为“光学传感器”)。显示装置可以通过这种光学传感器提供更多的各种功能,但是当光学传感器设置在非有源区域中时,在减小显示面板中的非有源区域占有的面积方面存在限制。
因此,尝试了在显示面板的有源区域的一些区域中设置显示装置中所需的光学传感器等的方法,但是存在显示图像的区域由于光学传感器的布置而受到限制或者图像的质量劣化的问题。
发明内容
本发明的实施方式提供了一种能够在防止在显示面板的有源区域中显示图像的区域减小的条件下在与有源区域交叠的区域上设置光学传感器的方法。
本发明的实施方式提供了一种能够在将光学传感器设置在与有源区域交叠的区域上的结构中提高通过有源区域显示的图像的整体质量的方法。
根据本发明的各种实施方式,一种显示装置包括:显示面板,包括具有第一分辨率的第一区域和具有低于所述第一分辨率的第二分辨率的第二区域;多个第一薄膜晶体管,设置在位于所述第一区域中的多个子像素中的每一个中;及多个第二薄膜晶体管,设置在位于所述第二区域中的多个子像素中的每一个中,其中,所述多个第一薄膜晶体管中的每一个可包括位于所述第一薄膜晶体管的沟道区的一个表面上的一个栅极,所述多个第二薄膜晶体管中的每一个可包括位于所述第二薄膜晶体管的沟道区的两个表面上的多个栅极。
可选择地,所述第二薄膜晶体管的沟道区的宽度可大于所述第一薄膜晶体管的沟道区的宽度。
可选择地,所述第二薄膜晶体管的沟道区的宽度与长度之比可大于所述第一薄膜晶体管的沟道区的宽度与长度之比。
此外,所述第二薄膜晶体管可包括顶栅极和底栅极,所述顶栅极的边界的至少一部分可与所述第二薄膜晶体管的沟道区的边界重叠,并且所述底栅极的边界的至少一部分可以位于所述第二薄膜晶体管的沟道区的边界的内侧。
根据本发明的各种实施方式,一种显示装置包括:显示面板,包括具有第一分辨率的第一区域和具有低于所述第一分辨率的第二分辨率的第二区域;多个第一薄膜晶体管,设置在位于所述第一区域中的多个子像素中的每一个中;及多个第二薄膜晶体管,设置在位于所述第二区域中的多个子像素中的每一个中,其中,所述第二薄膜晶体管的沟道区的宽度大于所述第一薄膜晶体管的沟道区的宽度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





