[发明专利]对多级单元NAND闪存器件和MLC NAND闪存器件进行编程的方法

说明书

一种对NAND闪存器件进行编程的方法，包括：编程电压生成电路将初始编程电压脉冲施加到NAND闪存的预定页面；控制器验证所述预定页面的多个验证电平，所述多个验证电平小于验证所述预定页面的最低程序状态的第一状态验证电压；所述控制器在所述预定页面的所述多个验证电平之一通过验证时确定后续编程电压脉冲的幅度；以及所述编程电压生成电路将所述后续编程电压脉冲施加到所述预定页面。

本申请是申请日为2019年5月22日，名称为“对多级单元NAND闪存器件和MLC NAND闪存器件进行编程的方法”，申请号为201980000912.X的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及半导体器件，并且具体涉及对多级单元(MLC)NAND闪存器件进行编程的方法和MLC NAND闪存器件。

背景技术

NAND闪存被广泛用于移动设备和消费电子产品中的非易失性数据存储，并通过将存储单元编程到不同的程序状态来将数据存储在存储单元的阵列中。在单级单元(SLC)闪存中，存储单元具有两种可能的程序状态，并且在2位多级单元(MLC)闪存中，存储单元具有四种可能的程序状态。闪存可以采用对应于不同程序状态的若干读取电平来从存储单元读取数据。

通常，可以通过向存储单元施加相应的编程电压来将存储单元设置为各种程序状态。然而，存储单元可能劣化并且编程电压的移位可能随时间发生。因此，重要的是在编程之前确定编程电压，并且尤其是闪存的开始编程脉冲。

增量阶跃脉冲编程(Incremental Step Pulse Programming，ISPP)是一种常用于识别编程电压的方法。在ISPP中，施加一系列编程脉冲来选择存储单元以逐渐将存储单元的阈值电压升高到特定阈值电平以上，并且在达到特定阈值电平时，可识别编程电压。然而，当编程电压的偏移很大时，ISPP可能花费长的时间来检测编程电压，因为必须将大量编程脉冲施加到存储单元以便建立所需的阈值电压。

期望提供一种闪存器件和一种减少用于确定开始编程电压和其他编程电压的时间的方法。

发明内容

在本发明的一个实施例中，一种对NAND闪存器件进行编程的方法，包括：编程电压生成电路将初始编程电压脉冲施加到NAND闪存的预定页面；控制器验证所述预定页面的多个验证电平，所述多个验证电平小于读取所述预定页面的最低程序状态的第一状态验证电压；所述控制器在所述预定页面的所述多个验证电平之一通过验证时确定后续编程电压脉冲的幅度；以及所述编程电压生成电路将所述后续编程电压脉冲施加到所述预定页面。

在本发明的另一个实施例中，一种NAND闪存器件，包括：NAND闪存、编程电压生成电路以及控制器。所述NAND闪存包括预定页面和其他页面。所述编程电压生成电路耦合到所述NAND闪存并且用于将初始编程电压脉冲施加到所述预定页面。所述控制器耦合到所述NAND闪存和所述编程电压生成电路，并且用于验证所述预定页面的多个验证电平，并在所述预定页面的所述多个验证电平之一通过验证时确定后续编程电压脉冲的幅度。所述多个验证电平小于验证所述预定页面的最低程序状态的第一状态验证电压。所述编程电压生成电路还用于将所述后续编程电压脉冲施加到所述预定页面。

对本领域普通技术人员来说，在阅读了在各个图和图示中示出的优选实施例的以下详细描述之后，本发明的这些和其他目的无疑将变得显而易见。

附图说明

图1是根据本发明的实施例的多级单元(MLC)NAND闪存器件的框图。

图2是确定图1中的MLC NAND闪存器件的开始编程电压的方法的流程图。

图3是确定用于图2中的方法中的后续编程电压脉冲的方法的流程图。

图4示出了根据本发明的实施例的采用2电平验证的开始编程电压确定方法的示意图。

图5是确定图1中的MLC NAND闪存器件的较高状态编程电压的方法的流程图。