[发明专利]一种高散热激光器件的制作方法

权利要求书

1.一种高散热激光器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

制作基板和金属散热器；

其中，制作所述基板，包括：提供一陶瓷坯片，在所述陶瓷坯片上制作至少一个贯穿所述陶瓷坯片的收容槽；并且在每个所述收容槽的一端制作第一定位台阶及在其另一端制作第二定位台阶；然后进行高温烧结得到预制基板；再在所述预制基板上制作线路层并在每个所述收容槽的外围制作第一通孔引线和在每个所述第一定位台阶上制作第二通孔引线后得到基板；

制作所述金属散热器，包括：制作包含第一散热结构和第二散热结构的金属散热器；所述第一散热结构用于与激光芯片焊接，所述第二散热结构连接在所述第一散热结构的远离所述激光芯片侧，所述第二散热结构用于覆盖所述第一通孔引线的外端面；

在每个所述第一定位台阶上焊接一个激光芯片；所述激光芯片的发光面朝向所述第二定位台阶所在方向，所述激光芯片的正电极通过所述第二通孔引线连接外接电路；

焊接所述金属散热器，使所述第一散热结构焊接在所述激光芯片的非发光面上以及使所述第二散热结构焊接在所述第一通孔引线的外端面上；所述激光芯片的负电极依次通过所述金属散热器和所述第一通孔引线连接外接电路；

在每个所述第二定位台阶上安装透镜。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在每个所述第一定位台阶上焊接一个激光芯片，包括：

在所述第一定位台阶的焊盘上点设助焊剂；

将第一金锡焊片设于所述助焊剂上，所述第一金锡焊片的面积尺寸为所述激光芯片的正电极面积尺寸的80％-95％；

将激光芯片放置在所述第一定位台阶上方，使所述激光芯片发光区两侧的焊盘与所述第一金锡焊片接触，然后进行金锡共晶焊接。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，焊接所述金属散热器，包括：

将第二金锡焊片设于所述激光芯片的非发光面上，所述第二金锡焊片的边长为所述激光芯片的负电极的四条边长两端各内缩1-3μm；

在所述第二金锡焊片上点设助焊剂；

在所述第一通孔引线的外端面上点设助焊剂；

将第三金锡焊片设于所述第一通孔引线的外端面的助焊剂上；

放置所述金属散热器，使所述第一散热结构与所述第二金锡焊片上的助焊剂接触以及使所述第二散热结构的靠近所述第一散热结构侧与所述第三金锡焊片接触，然后同时进行金锡共晶焊接。

4.如权利要求2或3所述的制作方法，其特征在于，所述金锡共晶焊接时，焊接温度为280-320℃，焊接压力为100-150g，焊接持续时间为1-2s。

5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作所述基板步骤中，使用预制模具在所述陶瓷坯片上一次冲压形成所述收容槽、所述第一定位台阶和所述第二定位台阶。

6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述预制基板上制作线路层，包括：

先使用磁控溅射技术在所述预制基板上镀第一金属层，然后在镀完所述第一金属层的预制基板上制作线路层。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述在每个所述收容槽的外围制作第一通孔引线和在每个所述第一定位台阶上制作第二通孔引线，包括：

在制作完线路层的预制基板上，先采用激光打孔的方式在每个所述收容槽的外围均形成贯穿基板的第一通孔、以及在每个所述收容槽内的第一定位台阶上形成贯穿所述第一定位台阶的第二通孔，所述第二通孔与所述第二定位台阶不相交；然后使用电镀工艺在打孔后的预制基板上继续镀第二金属层并使用所述第二金属填充所述第一通孔和所述第二通孔以分别形成所述第一通孔引线和所述第二通孔引线；

其中，镀所述第二金属层时，控制所述第二金属层的厚度与所述第一金属层的厚度之和为100μm。

8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，制作出所述第一通孔引线和所述第二通孔引线后，将所有线路做到基板表层并汇总形成串口，然后再对整个基板进行表层抗氧化处理。