[发明专利]一种等离子体退火设备及方法在审
| 申请号: | 202011403008.4 | 申请日: | 2020-12-04 |
| 公开(公告)号: | CN112331597A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
| 发明(设计)人: | 廖奇泊 | 申请(专利权)人: | 淄博绿能芯创电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32;C30B29/06;C30B33/02;C30B33/04 |
| 代理公司: | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人: | 李佳俊;郭国中 |
| 地址: | 255025 山东省淄博市高新区中*** | 国省代码: | 山东;37 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 等离子体 退火 设备 方法 | ||
1.一种等离子退火设备其特征在于,包括真空腔室(1)和退火腔室(2),所述真空腔室(1)位于退火腔室(2)上方,且所述真空腔室(1)与退火腔室(2)之间连通有连通口(3),所述真空腔室(1)连通有进气管(11),所述真空腔室(1)内设置有等离子源(12),所述等离子源(12)位于进气管(11)在真空腔室(1)侧壁上的管口的下侧,且所述真空腔室(1)内还设置有磁场过滤组件(4),所述退火腔室(2)内设置有用于放置硅片的基台(21),所述基台(21)上设置有下部电极(22),且所述基台(21)位于连通口(3)的正下方,且所述退火腔室(2)上还设置有温度调节装置(5)以及压力调节组件(6)。
2.如权利要求1所述的一种等离子体退火设备,其特征在于,所述磁场过滤组件(4)包括线圈(41)和多孔板(42),所述线圈(41)绕设在真空腔室(1)的外侧壁上,所述多孔板(42)安装在真空腔室(1)的内壁上。
3.如权利要求2所述的一种等离子体退火设备,其特征在于,所述多孔板(42)包括多孔区域(421),所述多孔区域(421)内分布有多个通孔(422)。
4.如权利要求1所述的一种等离子体退火设备,其特征在于,所述磁场过滤组件(4)的磁场强度大小在50G-500G之间。
5.如权利要求1所述的一种等离子体退火设备,其特征在于,所述压力调节组件(6)包括排气管(61)和控制阀,所述排气管(61)与退火腔室(2)连通,所述控制阀安装在排气管(61)上并控制排气管(61)的开启或关闭。
6.如权利要求5所述的一种等离子体退火设备,其特征在于,所述控制阀包括蝶阀(62)。
7.如权利要求1所述的一种等离子体退火设备,其特征在于,所述退火腔室(2)内设置有主轴支架(23),所述基台(21)水平固定在主轴支架(23)的顶部。
8.如权利要求1所述的一种等离子体退火设备,其特征在于,所述温度调节装置(5)设置在退火腔室(2)的外侧壁上。
9.如权利要求1所述的一种等离子体退火方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:将硅片放置在基台(21)上,并对硅片进行沿水平方向的姿态调整;
S2:选择具有不同大小、几何形状、纵横比的通孔(422)的多孔板(42)并安装在真空腔室(1)内,以及调整真空腔室(1)内多孔板(42)的数量和间距;
S3:将线圈(41)通电,从而形成磁场强度在50G-500G之间的磁场;
S4:通过进气管(11)将混合气体通入真空腔室(1)内并启动等离子源(12);
S5:调节下部电极(22)偏压的大小,从而控制等离子体的能量;
S6:通过温度调节装置(5)和压力调节组件(6)调节真空腔室(1)内的温度和压强,直至形成超临界气体。
10.如权利要求9所述的一种等离子体退火设备及方法,其特征在于,在步骤S2中所述多孔板(42)的选择、安装的数量以及间距,与需要的有效等离子体的浓度相匹配。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于淄博绿能芯创电子科技有限公司,未经淄博绿能芯创电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011403008.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种自动添加试剂维持样品液平衡的系统
- 下一篇:用于木条加工的上料机构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





