[发明专利]存储器阵列及用于形成包括存储器胞元串的存储器阵列的方法

说明书

本发明公开存储器阵列及用于形成包括存储器胞元的串的存储器阵列的方法。所述方法包括形成包括垂直交替的第一层面及第二层面的堆叠。所述堆叠包括横向间隔的存储器块区域，在所述存储器块区域之间具有水平伸长的沟槽。在所述沟槽中形成牺牲材料。在所述牺牲材料中形成垂直凹部。所述垂直凹部跨所述沟槽横向延伸在所述存储器块区域的横向紧邻者之间且沿着所述横向紧邻者纵向间隔。在所述垂直凹部中形成桥接材料以加衬里于且不足量填充所述垂直凹部且从所述垂直凹部形成具有向上敞开的杯型形状的桥接件。所述沟槽中的所述牺牲材料用在所述桥接件正下方的中介材料替换。本发明公开额外方法及独立于方法的结构。

技术领域

本文公开的实施例涉及存储器阵列及用于形成包括存储器胞元串的存储器阵列的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路系统且用于计算机系统中以存储数据。存储器可制造在个别存储器胞元的一或多个阵列中。可使用数字线(其也可称为位线、数据线或感测线)及存取线(其也可称为字线)对存储器胞元进行写入或读取。感测线可使沿着阵列的列的存储器胞元导电互连，且存取线可使沿着阵列的行的存储器胞元导电互连。每一存储器胞元可通过感测线及存取线的组合唯一地寻址。

存储器胞元可为易失性、半易失性或非易失性的。非易失性存储器胞元可在不存在电力的情况下长时间存储数据。常规上将非易失性存储器指定为具有至少约10年的保留时间的存储器。易失性存储器消散且因此经刷新/经重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更小的保留时间。无论如何，存储器胞元经配置以呈至少两种不同的可选状态来保留或存储存储器。在二进制系统中，所述状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器胞元可经配置以存储信息的两个以上电平或状态。

场效应晶体管是一种类型的可用于存储器胞元中的电子组件。这些晶体管包括在其间具有半导电沟道区的一对导电源极/漏极区。导电栅极与沟道区相邻且通过薄的栅极绝缘体与沟道区分离。将合适电压施加到栅极允许电流通过沟道区从所述源极/漏极区中的一者流动到另一者。当从栅极移除电压时，在很大程度上防止电流流动通过沟道区。场效应晶体管还可包含额外结构，例如能够可逆地编程电荷存储区作为栅极绝缘体与导电栅极之间的栅极构造的部分。

快闪存储器是一种类型的存储器且在现代计算机及装置中具有众多用途。例如，现代个人计算机可将BIOS存储在快闪存储器芯片上。作为另一实例，对于计算机及其它装置来说，在固态驱动器中利用快闪存储器来替换传统的硬盘驱动器变得越来越普遍。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中很流行，因为其使制造商能够在新通信协议标准化时支持所述通信协议，且提供远程升级所述装置以增强特征的能力。

NAND可为集成快闪存储器的基本架构。NAND胞元胞元包括串联耦合到存储器胞元的串行组合(其中串行组合通常被称为NAND串)的至少一个选择装置。NAND构架可以包括垂直堆叠的存储器胞元的三维布置来配置，所述垂直堆叠的存储器胞元个别地包括能够可逆地编程的垂直晶体管。可在垂直堆叠的存储器胞元下方形成控制或其它电路系统。其它易失性或非易失性存储器阵列架构也可包括个别地包括晶体管的垂直堆叠的存储器胞元。

存储器阵列可经布置成存储器页面、存储器块及部分块(例如，子块)及存储器平面，例如如在第2015/0228659号、第2016/0267984号及第2017/0140833号美国专利申请公开案中所展示及所描述。存储器块可至少部分地界定垂直堆叠的存储器胞元的个别字线层面中的个别字线的纵向轮廓。与这些字线的连接可在垂直堆叠的存储器胞元的阵列的端部或边缘处的所谓“阶梯结构”中发生。阶梯结构包含界定个别字线的接触区的个别“楼梯”(替代地被称为“台阶”或“阶梯”)，竖向延伸的导电通孔在所述接触区上接触以提供对所述字线的电接取。

发明内容