[发明专利]一种超低功耗CMOS温度感应电路有效

专利信息
申请号: 202011400794.2 申请日: 2020-12-02
公开(公告)号: CN112504494B 公开(公告)日: 2023-02-24
发明(设计)人: 梅年松 申请(专利权)人: 中国科学院上海高等研究院;上海天俣可信物联网科技有限公司
主分类号: G01K7/00 分类号: G01K7/00
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 201210 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 功耗 cmos 温度 感应 电路
【权利要求书】:

1.一种超低功耗CMOS温度感应电路,包括:

电流产生电路,用于产生温度感应电路所需的参考偏置电流;

温度感应电路,用于在所述参考偏置电流作用下产生与温度成线性关系的温感输出电压;

反馈环路,连接所述电流产生电路及温度感应电路,以避免所述电流产生电路与温度感应电路的失配,其中

所述电流产生电路包括第一二极管和第一PMOS偏置管,所述第一PMOS偏置管的源极连接电源VDD,栅极与漏极短接后连接至所述温度感应电路,并连接所述第一二极管的阴极以及所述反馈环路的一输入端,所述第一二极管阳极接地,所述温度感应电路包括第二二极管和第二PMOS管,所述第二PMOS管源极接电源VDD,栅极连接至所述第一PMOS偏置管短接的栅漏极,漏极接所述反馈环路的另一输入端,所述第二二极管阳极接所述反馈环路输出端组成所述温感输出电压节点,阴极接地。

2.如权利要求1所述的一种超低功耗CMOS温度感应电路,其特征在于:所述反馈环路包括一运算放大器和第三PMOS管,所述运算放大器的一输入端接所述电流产生电路的第一PMOS偏置管的短接的栅漏极,另一输入端连接所述第二PMOS管漏极并连接所述第三PMOS管源极,输出端连接所述第三PMOS管栅极,所述第三PMOS管漏极与所述第二二极管阳极连接组成所述温感输出电压节点。

3.如权利要求2所述的一种超低功耗CMOS温度感应电路,其特征在于:所述运算放大器的同相收入端接所述电流产生电路的第一PMOS偏置管的短接的栅漏极,反相输入端接所述第二PMOS管漏极及所述第三PMOS管源极。

4.如权利要求3所述的一种超低功耗CMOS温度感应电路,其特征在于:调节所述第三PMOS晶体管源极和漏极之间的电压,确保所述运算放大器的同相输入端与反相输入端电压相同,从而避免由于所述第一PMOS偏置管与第二PMOS管漏极端电压不同而引起的电流失配。

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