[发明专利]一种高速静态随机存取存储器

权利要求书

1.一种高速静态随机存取存储器，其包括控制器以及用于所述控制器的预充电电路，其特征在于，所述预充电电路包括：

第一开关，其第一端耦接至工作电压源，第二端耦接至SRAM的第一位线，且第一开关由第一导通信号控制；

第二开关，其第一端耦接至工作电压源，第二端耦接至SRAM的第二位线，且第二开关由第二导通信号控制；和

第三开关，耦合在第一位线和第二位线之间，第三开关由第三导通信号控制，

其中，在预充电模式下，所述第三开关导通的时间点早于所述第一开关导通的时间点，且早于所述第二开关导通的时间点。

2.根据权利要求1所述的高速静态随机存取存储器，其特征在于，所述第一开关导通的时间点早于所述第二开关导通的时间点；所述第二开关导通的时间点早于所述第一开关导通的时间点；所述预充电电路还包括：

时序控制电路，用于产生第一导通信号，第二导通信号和第三导通信号。

3.根据权利要求2所述的高速静态随机存取存储器，其特征在于，所述时序控制电路包括：延迟电路，用于延迟预充电信号以产生第一延迟信号，第二延迟信号和第三延迟信号；和

逻辑电路，用于根据第一延迟信号，第二延迟信号和第三延迟信号，产生第一导通信号，第二导通信号和第三导通信号，

其中，当延迟电路接收到预充电信号时，预充电电路开始预充电模式。

4.根据权利要求3所述的高速静态随机存取存储器，其特征在于，所述延迟电路包括：

第一延迟集合，包括至少一个第一延迟分量，并根据预充电信号产生第一延迟信号；

第二延迟集合，包括多个第二延迟分量，并根据预充电信号产生第二延迟信号；

第三延迟集，包括多个第三延迟分量，并根据预充电信号产生第三延迟信号；

其中，至少一个第一延迟分量的数量小于第二延迟分量的数量，至少一个第一延迟分量的数量小于第三延迟分量的数量，第二延迟分量的数量为小于第三延迟分量。

5.根据权利要求3所述的高速静态随机存取存储器，其中，所述延迟电路包括：

第一延迟集合，包括至少一个第一延迟分量，并根据预充电信号产生第一延迟信号；

第二延迟集合，包括至少一个第二延迟分量，并根据预充电信号产生第二延迟信号；

第三延迟集合，包括至少一个第三延迟分量，并根据预充电信号产生第三延迟信号；

其中第二延迟组的输入端耦接至第一延迟组的输出端，第三延迟组的输入端耦接至第二延迟组的输出端。

6.根据权利要求5所述的高速静态随机存取存储器，其特征在于，所述逻辑电路还被配置为：对第二延迟信号和第二延迟信号进行“或”运算，并将“或”运算的结果反转以产生第一导通信号；

对第二延迟信号和第三延迟信号进行“或”运算，并将“或”运算的结果反转以产生第二导通信号；和

比较第二延迟信号与第三延迟信号，对比较结果与第一延迟信号进行“或”运算，并将“或”运算的结果反转以产生第三导通信号。

7.根据权利要求5所述的高速静态随机存取存储器，其特征在于，所述逻辑电路还被配置为：对第一延迟信号和第二延迟信号进行“或”运算，并将“或”运算的结果反转以产生第二导通信号；

对第二延迟信号和第三延迟信号进行“或”运算，并将“或”运算的结果取反以产生第一导通信号；和

比较第二延迟信号和第三延迟信号，对比较结果和第一延迟信号进行“或”运算，并将“或”运算的结果取反以产生第三接通信号。

8.一种高速静态随机存取存储器的控制器预充电方法，其特征在于，包括：

通过第一开关接收第一导通信号以导通第一开关，并将工作电压传输至SRAM的第一位线；通过第二开关接收第二导通信号以导通第二开关并将工作电压传输至SRAM的第二位线；和

通过第三开关接收第三导通信号以导通第三开关并使第一位线和第二位线的电压均等，

其中，在预充电模式下，所述第三开关导通的时间点早于所述第一开关导通的时间点，且早于所述第二开关导通的时间点。

9.根据权利要求8所述的预充电方法，其中，所述第一开关接通的时间点早于所述第二开关接通的时间点；所述第二开关接通的时间点早于所述第一开关接通的时间点。