[发明专利]一种多重增益低噪声放大器的切换电路

权利要求书

1.一种多重增益低噪声放大器的切换电路，包括并联的高增益低噪声放大器(1)与低增益低噪声放大器(2)，所述高增益低噪声放大器(1)设有正相反馈电路(10)，以及与所述正相反馈电路(10)匹配的负相反馈电路(11)，且，所述正相反馈电路(10)、负相反馈电路(11)均与所述高增益低噪声放大器(1)并联，其特征在于，所述正相反馈电路(10)、负相反馈电路(11)均包括反馈电阻R0、第一反馈电容C0、第二反馈电容C1；所述反馈电阻R0、第一反馈电容C0、第二反馈电容C1依次串联，在所述第一反馈电容C0、第二反馈电容C1之间设置有开关单元(3)；

所述开关单元(3)能够通过控制信号的电平高低使所述高增益低噪声放大器(1)、低增益低噪声放大器(2)进行切换；

所述开关单元(3)包括开关控制电路(30)、第一偏压电路(31)、第二偏压电路(32)；

所述开关控制电路(30)的两端口分别与所述第一反馈电容C0、第二反馈电容C1的一极板连接，连接处均分别并联所述第一偏压电路(31)、第二偏压电路(32)；

所述第一偏压电路(31)包括第二开关晶体管M2、第三开关晶体管M3、第一偏压电阻R1、第二偏压电阻R2；

所述第一偏压电阻R1、第二开关晶体管M2、第三开关晶体管M3、第二偏压电阻R2依次串联；所述第一偏压电阻R1、第二偏压电阻R2均与所述开关控制电路(30)连接；

所述第二开关晶体管M2、第三开关晶体管M3之间连接有第一偏压电源(VDD)；

所述第二偏压电路(32)包括第四开关晶体管M4、第五开关晶体管M5、第三偏压电阻R3、第四偏压电阻R4；

所述第三偏压电阻R3、第四开关晶体管M4、第五开关晶体管M5、第四偏压电阻R4依次串联；所述第三偏压电阻R3、第四偏压电阻R4均与所述开关控制电路(30)连接；

所述第四开关晶体管M4、第五开关晶体管M5之间连接有第二偏压电源(VSS)。

2.根据权利要求1所述的多重增益低噪声放大器的切换电路，其特征在于，所述开关控制电路(30)包括第一开关晶体管M1、第一寄生电容C2与第二寄生电容C3；

所述第一寄生电容C2、第二寄生电容C3均与所述第一开关晶体管M1连接。

3.根据权利要求2所述的多重增益低噪声放大器的切换电路，其特征在于，所述第一开关晶体管M1为PMOS型晶体管或NMOS型晶体管；

所述第二开关晶体管M2、第三开关晶体管M3均为PMOS型晶体管；

所述第四开关晶体管M4、第五开关晶体管M5均为NMOS型晶体管。

4.根据权利要求3所述的多重增益低噪声放大器的切换电路，其特征在于，所述第一开关晶体管M1为PMOS型晶体管；

所述第一开关晶体管M1的源极与所述第一反馈电容C0、第一寄生电容C2的一极板均连接，且与所述第一偏压电阻R1、第三偏压电阻R3的一端均连接；所述第一开关晶体管M1的漏极与所述第二反馈电容C1、第二寄生电容C3的一极板均连接，且与所述第二偏压电阻R2、第四偏压电阻R4的一端均连接；所述第一开关晶体管M1的栅极与所述第二开关晶体管M2的栅极、第三开关晶体管M3的栅极、第四开关晶体管M4的栅极以及第五开关晶体管M5的栅极均连接；

所述第二开关晶体管M2的源极与所述第三开关晶体管M3的源极连接、所述第四开关晶体管M4的源极与第五开关晶体管M5的源极连接；所述第二开关晶体管M2的漏极与所述第一偏压电阻R1的另一端连接、第三开关晶体管M3的漏极第二偏压电阻R2的另一端连接、第四开关晶体管M4的漏极第三偏压电阻R3的另一端连接、第五开关晶体管M5的漏极与所述第四偏压电阻R4的另一端连接。