[发明专利]一种光刻方法、半导体器件及其制作方法

说明书

本发明提供了一种光刻方法、半导体器件及其制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底一侧表面形成光刻胶层；将所述光刻胶层背离所述衬底一侧朝向地面；自所述地面朝向所述衬底方向，对所述光刻胶层进行曝光；对曝光后的所述光刻胶层进行显影；对所述衬底进行刻蚀后去除所述光刻胶层。本发明提供的技术方案，在对光刻胶进行曝光时，将光刻胶层背离衬底一侧表面朝向地面，进而能够避免微粒受重力作用掉落在光刻胶层的表面而出现曝光不精准的情况，本发明提供的技术方案能够保证光刻制程的效果高，提高了半导体器件的制作良率。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，更为具体地说，涉及一种光刻方法、半导体器件及其制作方法。

背景技术

光刻技术是半导体制造技术的基础工艺，被广泛引用在半导体器件的制造中，因此光刻技术的进展直接决定着半导体器件的制造技术的发展水平。光刻过程的基本步骤包括：将光刻胶涂布在硅片上形成光刻胶膜；用掩膜板作为遮光罩对硅片上的光刻胶进行曝光；显影并去除一部分光刻胶，从而将掩膜板上的图案转移到光刻胶上；利用光刻胶作为掩膜对硅片进行刻蚀；将剩余的光刻胶去除。

与光刻技术共同发展的是光刻装置即光刻机。集成电路发展需求器件尺寸越来越小，为了满足这一需求光刻机的光源波长经历了可见光(g线：436nm)、紫外光(i线365mm)、深紫外光(KrF准分子激光248mm、ArF准分子激光：193mm)这一发展历程，现阶段正在研发极紫外光源(10～15m)，光刻的图形精度表征-关键尺寸(Critical Dimension简称CD)从20世纪50年代初期以大约125mm发展到现在的7mm以及5mm制程。不同阶段的CD代表着不同的技术节点，在不同的技术节点里对光刻曝光里的CD均匀性有着不同的要求。现有半导体器件制作过程中，光刻技术的优劣直接影响的器件的性能。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种光刻方法、半导体器件及其制作方法，有效解决现有技术存在的技术问题，保证光刻制程的效果高，提高了半导体器件的制作良率。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种光刻方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底一侧表面形成光刻胶层；

将所述光刻胶层背离所述衬底一侧朝向地面；

自所述地面朝向所述衬底方向，对所述光刻胶层进行曝光；

对曝光后的所述光刻胶层进行显影；

对所述衬底进行刻蚀后去除所述光刻胶层。

可选的，在所述衬底一侧表面形成所述光刻胶层，包括：

在所述衬底一侧表面涂覆光刻胶材料；

对所述光刻胶材料进行烘干固化得到所述光刻胶层。

可选的，对所述光刻胶层进行曝光前，还包括：

对所述光刻胶层进行去静电处理。

可选的，对所述光刻胶层进行曝光，包括：

采用激光束或电子束对所述光刻胶进行曝光。

基于同样的发明构思，本发明还提供了一种半导体器件的制作方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底一侧表面形成光刻胶层；

将所述光刻胶层背离所述衬底一侧朝向地面；

自所述地面朝向所述衬底方向，对所述光刻胶层进行曝光；

对曝光后的所述光刻胶层进行显影；

对所述衬底进行刻蚀后去除所述光刻胶层。