[发明专利]半导体装置的制作方法

说明书

此处公开具有双重硅化物接点结构的半导体装置结构与其制作方法。制作半导体装置的方法包括形成第一鳍状结构与第二鳍状结构于基板上；分别形成第一外延区与第二外延区于第一鳍状结构与第二鳍状结构上；分别形成第一接点开口与第二接点开口于第一外延区与第二外延区上；选择性形成氧化物盖层于第二外延区的露出表面上；选择性形成第一金属硅化物层于第一外延区的露出表面上；移除该氧化物盖层；以及分别形成第一导电区与第二导电区于金属硅化物层上与第二外延区的露出表面上。第一金属硅化物层包括第一金属。第一导电区与第二导电区包括第二金属，且第一金属与第二金属不同。

技术领域

本发明实施例涉及半导体装置，更特别涉及低肖特基能障与低源极/漏极接点电阻的半导体装置。

背景技术

随着半导体技术进展，对更高存储能力、更快处理系统、更高效能、与更低成本的需求也增加。为符合这些需求，半导体产业持续缩小半导体装置(如金属氧化物半导体场效晶体管，包含平面金属氧化物半导体场效晶体管或鳍状场效晶体管)的尺寸。尺寸缩小会增加半导体制造制程的复杂度。

发明内容

在一些实施例中，半导体装置的制作方法包括形成第一鳍状结构与第二鳍状结构于基板上；分别形成第一外延区与第二外延区于第一鳍状结构与第二鳍状结构上，其中第一外延区与第二外延区的材料组成不同；分别形成第一接点开口与第二接点开口于第一外延区与第二外延区上；选择性形成氧化物盖层于第二接点开口中的第二外延区的露出表面上；选择性形成第一金属硅化物层于第一接点开口中的第一外延区的露出表面上，其中第一金属硅化物层包括第一金属；移除氧化物盖层；以及分别形成第一导电区与第二导电区于金属硅化物层上与第二接点开口中的第二外延区的露出表面上，其中第一导电区与第二导电区包括第二金属，且第一金属与第二金属不同。

在一些实施例中，半导体装置的制作方法包括：形成第一源极/漏极区与第二源极/漏极区于基板上，其中第一源极/漏极区与第二源极/漏极区的材料组成不同；分别形成第一接点开口与第二接点开口于第一源极/漏极区与第二源极/漏极区上；选择性形成氧化物盖层于第二接点开口中的第二源极/漏极区的露出表面上；选择性形成金属硅化物层于第一接点开口中的第一源极/漏极区的露出表面上，其中金属硅化物层包括第一金属；选择性形成金属盖层于金属硅化物层上；移除氧化物盖层；以及分别形成第一导电区与第二导电区于金属盖层上与第二接点开口中的第二源极/漏极区的露出表面上，其中第一导电区与第二导电区包含第二金属，且第一金属与第二金属不同。

在一些实施例中，半导体装置包括第一鳍状结构与第二鳍状结构，位于基板上；第一外延区与第二外延区分别位于第一鳍状结构与第二鳍状结构上，其中第一外延区与第二外延区的材料组成不同；第一接点结构，位于第一外延区上，其中第一接点结构包括第一金属硅化物层位于第一外延区上、金属盖层位于第一金属硅化物层上、以及第一导电区位于金属盖层上，且其中第一金属硅化物层包括第一金属；以及第二接点结构，位于第二外延区上，其中第二接点结构包括第二金属硅化物层位于第二外延区上、以及第二导电区位于第二金属硅化物层上，且其中第二金属硅化物层包括第二金属，且第一金属与第二金属不同。

附图说明

图1及图2A至图2D分别为一些实施例中，具有双重硅化物接点结构的半导体装置的等角图与剖视图。

图3为一些实施例中，具有双重硅化物接点结构的半导体装置的制作方法的流程图。

图4至图6是一些实施例中，具有双重硅化物接点结构的半导体装置于制作制程的多种阶段的等角图。

图7、图8A至图8D、图9A至图9D、图10A至图10D、图11A至图11D、图12A至图12D及图13A至图13D是一些实施例中，具有双重硅化物接点结构的半导体装置于制作制程的多种阶段的剖视图。

图14是一些实施例中，沉积选择性与沉积温度之间的关系图。

其中，附图标记说明如下：

A-A，B-B，C-C，D-D，E-E：剖线