[发明专利]半导体装置的制作方法在审
| 申请号： | 202011385858.6 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN113013103A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 朱鹏维;王菘豊;时定康;奧野泰利 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制作方法，包括：
形成一第一鳍状结构与一第二鳍状结构于一基板上；
分别形成一第一外延区与一第二外延区于该第一鳍状结构与该第二鳍状结构上，其中该第一外延区与该第二外延区的材料组成不同；
分别形成一第一接点开口与一第二接点开口于该第一外延区与该第二外延区上；
选择性形成一氧化物盖层于该第二接点开口中的该第二外延区的露出表面上；
选择性形成一第一金属硅化物层于该第一接点开口中的该第一外延区的露出表面上，其中该第一金属硅化物层包括一第一金属；
移除该氧化物盖层；以及
分别形成一第一导电区与一第二导电区于该金属硅化物层上与该第二接点开口中的该第二外延区的露出表面上，其中该第一导电区与该第二导电区包括一第二金属，且该第一金属与该第二金属不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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