[发明专利]一种电子器件及其制作方法、电子设备

说明书

本申请实施例提供一种电子器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域。用于在平面内生长纳米线。该电子器件可以包括衬底以及至少一条纳米线。其中，衬底上具有至少一条沟槽。纳米线嵌入沟槽内。该沟槽具有至少一个槽壁，一条纳米线沿沟槽的一个槽壁延伸，且与沟槽的槽底相接触。沟槽的槽壁具有导向作用，使得纳米线可以沿槽壁的延伸方向，在沟槽的槽底所在的平面内生长，有利于电子器件的大规模制作。上述沟槽的槽底所在的平面可以与电路板用于承载电子器件的表面平行。因此当纳米线在沟槽的槽底所在的平面内生长时，有利于电子器件在电路板上的大规模集成。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种电子器件及其制作方法、电子设备。

背景技术

随着大规模集成电路技术的高速发展，单个芯片上集成的晶体管数量急剧增加，晶体管的特征尺寸不断减小。然而，当传统的平面式金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor，MOS)晶体管的尺寸缩小到纳米尺度之后，MOS晶体管对沟道电流的控制能力变弱，造成严重的漏电流。目前，纳米线场效应晶体管，因其具有更小的尺寸、更好的栅控特性以及较小的亚阈值摆幅，能够在提高芯片集成度的同时，提高晶体管的性能。然而，采用目前的纳米线生长工艺制作的纳米线非平面内生长，导致降低芯片大规模的可实现性。

发明内容

本申请提供一种电子器件及其制作方法、电子设备，用于在平面内生长纳米线。

为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：

本申请实施例的一方面，提供一种电子器件。该电子器件可以包括衬底以及至少一条纳米线。其中，衬底上具有至少一条沟槽。纳米线嵌入沟槽内。一条纳米线沿沟槽的一个槽壁延伸，且与沟槽的槽底相接触。这样一来，沟槽的槽壁具有导向作用，使得纳米线可以沿槽壁的延伸方向，在沟槽的槽底所在的平面内生长，有利于电子器件的大规模制作。此外，上述沟槽的槽底所在的平面可以与电路板用于承载电子器件的表面平行。因此当纳米线在沟槽的槽底所在的平面内生长时，有利于电子器件在电路板上的大规模集成。

需要说明的是，设置于衬底上的沟槽，其本身并非是独立于衬底而存在的结构或者膜层，而是在衬底的特定层中存在的不定数量的结构特征。沟槽由槽底和槽壁构成，其中槽底和槽壁的组分构成和位置取决于沟槽在产品中的具体位置，例如，取决于沟槽沿垂直于衬底的方向，在衬底的膜层和结构间所贯穿的部分膜层或结构的组分和位置。

可选的，纳米线的材料为半导体材料，该纳米线的拉曼半峰宽为，与纳米线的物质组分相同的单晶材料的拉曼半峰宽的1～2倍。纳米线的峰位位于，与纳米线的物质组分相同的单晶材料的峰位之差的范围为0cm^-1～2cm^-1。这样一来，该纳米线具有较高的结晶性。该纳米线的拉曼半峰宽可以与上述单晶材料的拉曼半峰宽接近，因此该纳米线具有较高的结晶性。

可选的，当纳米线为硅纳米线时，纳米线的拉曼半峰宽为4.5±0.5cm^-1，纳米线的峰位为520.7±1cm^-1。其中，单晶硅的拉曼半峰宽为3.6cm^-1，单晶硅的峰位为520.1cm^-1。因此，本申请实施例提供的硅纳米线的拉曼半峰宽可以与单晶硅的拉曼半峰宽接近。

可选的，每个沟槽内嵌入有两条纳米线。同一沟槽内的两条纳米线，分别沿沟槽相对的两个槽壁延伸。沟槽的每个槽壁都可以对生长的纳米线进行导向。

可选的，衬底包括层叠设置的衬底本体和第一介质层，沟槽设置于第一介质层上，且沟槽的槽底为该第一介质层。纳米线在靠近衬底本体的一侧与第一介质层相接触。第一介质层能够对激光产生的热量进行热缓冲，避免上述热量直接传递至衬底本体，而使得衬底本体在高热量作用下被烧灼。