[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202011373452.6 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112466890B | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 何亚东 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨丽爽 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nand 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有栅极层和绝缘层交替层叠的堆叠层，以及贯穿所述堆叠层的栅线缝隙，所述栅线缝隙暴露的衬底中形成有阵列共源掺杂区；
在所述栅线缝隙中填充介质层，所述介质层中形成有间隙，所述间隙为真空状态；所述介质层的材料根据所述堆叠层的翘曲度确定；
从所述衬底的背面形成所述阵列共源掺杂区的接触。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质层包括第一介质层和第二介质层；
则所述在所述栅线缝隙中填充介质层，所述介质层中形成有间隙，包括：
在所述栅线缝隙暴露的表面上形成第一介质层；
在所述栅线缝隙中填充第二介质层，所述第二介质层中形成有间隙。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二介质层的材料根据所述堆叠层的翘曲度确定。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述栅线缝隙暴露的表面上形成第一介质层包括：
在45℃～55℃条件下，利用原子层沉积方法在所述栅线缝隙暴露的表面上形成第一介质层。
5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述第一介质层和所述第二介质层为相同的材料。
6.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述栅线缝隙侧壁的栅极层具有缺口，所述缺口和相邻的绝缘层形成沟槽；
所述在所述栅线缝隙的暴露的表面上形成第一介质层，包括：
在所述沟槽内填充第一介质层。
7.一种3D NAND存储器件，其特征在于，包括：
衬底；
所述衬底上形成有栅极层和绝缘层交替层叠的堆叠层，以及贯穿所述堆叠层的栅线缝隙，所述栅线缝隙暴露的衬底中形成有阵列共源掺杂区；
所述栅线缝隙中填充有介质层，所述介质层中形成有间隙，所述间隙为真空状态；所述介质层的材料根据所述堆叠层的翘曲度确定；
从所述衬底的背面贯穿至所述阵列共源掺杂区的接触。
8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述介质层包括第一介质层和第二介质层；
所述栅线缝隙暴露的表面上形成有第一介质层；
所述栅线缝隙中填充有第二介质层，所述第二介质层中形成有间隙。
9.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，所述第二介质层的材料根据所述堆叠层的翘曲度确定。
10.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，所述栅线缝隙侧壁的栅极层具有缺口，所述缺口和相邻的绝缘层形成沟槽，
所述沟槽内填充有第一介质层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
