[发明专利]发光装置有效
| 申请号: | 202011346616.6 | 申请日: | 2020-11-26 |
| 公开(公告)号: | CN112531091B | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
| 发明(设计)人: | 俞方正;张正杰;蔡正晔 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62;H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 装置 | ||
本发明公开了一种发光装置,包括基板、第一接垫、第二接垫、发光二极管、第一连接结构、第二连连接结构以及图案化黏着层。第一接垫以及第二接垫位于基板上。发光二极管包括第一半导体层、重叠于第一半导体层的第二半导体层、第一电极与第二电极。第一电极与第二电极分别连接第一半导体层与第二半导体层。第一连接结构电性连接第一电极至第一接垫。第二连接结构电性连接第二电极至第二接垫。图案化黏着层位于基板与发光二极管之间,且不接触于第一连接结构与第二连接结构。
技术领域
本发明是有关于一种发光装置,且特别是有关于一种具有发光二极管的发光装置。
背景技术
发光二极管显示器具有高亮度、低能耗、高解析度与高色彩饱和度等优点。因此,许多厂商致力于发展发光二极管显示器的相关技术。目前,发光二极管显示器的发展还有许多技术瓶颈待克服,其中又以“巨量转移”(Mass Transfer)技术最为关键。巨量转移技术是将微型发光二极管自生长基板上转移至主动元件基板上的技术。由于要同时转移大量的微型发光二极管,微型发光二极管对位的准确性格外的重要。在现有技术中,微型发光二极管时常在转置的过程中偏移,导致像素阵列基板上的微型发光二极管不能正常运作。
发明内容
本发明提供一种发光装置,可以增加发光二极管的对位精准度。
本发明提供一种发光装置的制造方法,可以增加发光二极管的对位精准度。
本发明的至少一实施例提供一种发光装置,包括基板、第一接垫、第二接垫、发光二极管、第一连接结构、第二连连接结构以及图案化黏着层。第一接垫以及第二接垫位于基板上。发光二极管包括第一半导体层、重叠于第一半导体层的第二半导体层、第一电极与第二电极。第一电极与第二电极分别连接第一半导体层与第二半导体层。第一连接结构电性连接第一电极至第一接垫。第二连接结构电性连接第二电极至第二接垫。图案化黏着层位于基板与发光二极管之间,且不接触于第一连接结构与第二连接结构。
本发明的至少一实施例提供一种发光装置的制造方法,包括:提供第一接垫以及第二接垫于基板上;分别形成第一导电结构与第二导电结构于第一接垫与第二接垫上;形成黏着材料于该基板上;对黏着材料层进行软烤制程,并图案化黏着材料层,其中图案化的黏着材料层不接触于第一导电结构与第二导电结构;放置发光二极管至图案化的黏着材料层上。发光二极管包括第一半导体层、重叠于第一半导体层的第二半导体层、第一电极与第二电极。第一电极与第二电极分别连接第一半导体层与第二半导体层,且第一电极与第二电极分别连接第一导电结构与第二导电结构。
附图说明
图1A至图1K是依照本发明的一实施例的一种发光装置的制造方法的剖面示意图。
图2是依照本发明的一实施例的一种发光装置的上视示意图。
图3是依照本发明的一实施例的一种发光装置的剖面示意图。
图4A是依照本发明的一实施例的一种发光装置的剖面示意图。
图4B是依照本发明的一实施例的一种发光二极管的上视示意图。
图5A是依照本发明的一实施例的一种发光装置的剖面示意图。
图5B是依照本发明的一实施例的一种发光装置的上视示意图。
其中,附图标记:
10、20、30、40:发光装置
110:第一半导体材料层
110’:第一半导体层
120:中介材料层
120’、122、124:发光层
130:第二半导体材料层
130’、132:第二半导体层
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