[发明专利]一种基于薄膜键合的可调谐FP滤光片的制备方法在审

专利信息
申请号: 202011341605.9 申请日: 2020-11-25
公开(公告)号: CN112499582A 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 张云霄;孙文宝 申请(专利权)人: 天津津航技术物理研究所
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B81C3/00;G02F1/21
代理公司: 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 代理人: 周恒
地址: 300308 天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 薄膜 调谐 fp 滤光 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种基于薄膜键合的可调谐FP滤光片的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:

步骤1:制作下金属反射层;

在衬底之上采用热蒸发镀膜方法制备FP滤波器的下金属反射层;

步骤2:制备铌酸锂薄膜通光层:

采用离子注入、键合剥离方法制备铌酸锂薄膜通光层;

步骤3:制备上金属反射层:

采用磁控溅射的方法制备上金属反射层;

步骤4:上金属反射电极图形化制备:

采用光刻、离子束刻蚀工艺制作上金属电极结构,完成可调谐FP滤光片制作;

步骤5:铌酸锂薄膜图形化制备:

采用离子束刻蚀工艺刻蚀去掉未覆盖上金属区域的铌酸锂薄膜,完成可调谐FP滤波器制作。

2.如权利要求1所述的基于薄膜键合的可调谐FP滤光片的制备方法,其特征在于,所述衬底为石英玻璃。

3.如权利要求1所述的基于薄膜键合的可调谐FP滤光片的制备方法,其特征在于,所述衬底为K9玻璃。

4.如权利要求1所述的基于薄膜键合的可调谐FP滤光片的制备方法,其特征在于,所述下金属反射层材料包括Al、Ag。

5.如权利要求1所述的基于薄膜键合的可调谐FP滤光片的制备方法,其特征在于,所述步骤2为:首先对铌酸锂衬底上表面进行H离子注入,将铌酸锂注入面与衬底中的下金属反射层一面进行晶圆级键合,采用热剥离方法将铌酸锂衬底去除,留下带铌酸锂薄膜与下金属反射层键合结构基底。

6.如权利要求5所述的基于薄膜键合的可调谐FP滤光片的制备方法,其特征在于,所述步骤2中,所述铌酸锂薄膜的切向、厚度和厚度可自由选择。

7.如权利要求5所述的基于薄膜键合的可调谐FP滤光片的制备方法,其特征在于,所述步骤3为:在带铌酸锂薄膜与下金属反射层的基底之上,采用磁控溅射的方法溅射上金属反射层。

8.如权利要求1所述的基于薄膜键合的可调谐FP滤光片的制备方法,其特征在于,所述上金属反射电极图形化为线列型、瓦片型或马赛克型。

9.如权利要求1所述的基于薄膜键合的可调谐FP滤光片的制备方法,其特征在于,所述上金属反射层材料包括Al、Ag。

10.如权利要求1所述的基于薄膜键合的可调谐FP滤光片的制备方法,其特征在于,所述步骤5中,采用包括RIE、ICP在内的干法刻蚀工艺刻蚀去掉未覆盖上金属区域的铌酸锂薄膜。

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