[发明专利]一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法

权利要求书

1.一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法，其特征在于，包括如下过程：

在陶瓷构件表面进行磁控溅射镀膜，使陶瓷构件表面镀上金属镀膜；

利用氢化钛粉对表面镀有金属镀膜陶瓷构件在真空条件下进行氢化钛烧结，在金属镀膜表面生成钛层；

所述适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法还包括：在生成钛层之前，对表面镀有金属镀膜陶瓷构件进行真空烧结热处理，使经磁控溅射镀膜后的陶瓷构件表面的金属镀膜晶化。

2.根据权利要求1所述的一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法，其特征在于，真空烧结热处理的温度为所述金属镀膜熔点的70%-90%。

3.根据权利要求1或2所述的一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法，其特征在于，对表面镀有金属镀膜陶瓷构件进行真空烧结热处理时，在烧结炉内放置有海绵钛。

4.根据权利要求1所述的一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法，其特征在于，陶瓷构件表面镀上金属镀膜的熔点在1000-1670摄氏度。

5.根据权利要求1所述的一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法，其特征在于，金属镀膜为钛镀膜或高熔点的含钛合金镀膜，金属镀膜的厚度为100-500nm。

6.根据权利要求1所述的一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法，其特征在于，进行氢化钛烧结时，真空度不大于10^-3 Pa，烧结温度为800-900℃，时间为1-2h。

7.根据权利要求1所述的一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法，其特征在于，氢化钛烧结时，氢化钛粉的粒度为38-250μm，用氢化钛粉将陶瓷构件与周围填实，将氢化钛粉的填实压紧至氢化钛粉相对密度的60%-65%。

8.根据权利要求1所述的一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法，其特征在于，所述陶瓷构件为碳化硅陶瓷构件或氧化铝陶瓷构件。

9.根据权利要求1所述的一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法，其特征在于，氢化钛烧结时，在烧结炉内放置有海绵钛。